onsemi NV25010MUW3VTBG

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onsemi NV25010MUW3VTBG - Circuit intégré de mémoire EEPROM SPI 1 Kbit de qualité automobile

La NV25010MUW3VTBG d'onsemi est une mémoire EEPROM SPI 1 Kbit haute fiabilité, qualifiée pour l'automobile et conçue pour les applications critiques des systèmes automobiles, industriels et aérospatiaux. Ce circuit intégré de mémoire non volatile présente une architecture 128 x 8 et fonctionne sur une large plage de tensions (1,8 V à 5,5 V), ce qui le rend idéal pour divers projets matériels embarqués exigeant une conservation des données et une grande durabilité.

Principales caractéristiques et avantages

  • Fiabilité de qualité automobile : conforme à la norme AEC-Q100 pour les environnements automobiles difficiles avec une plage de températures étendue (-40 °C à 125 °C).
  • Interface SPI rapide : une fréquence d’horloge de 10 MHz permet un accès rapide aux données avec un temps d’accès de seulement 35 ns.
  • Boîtier compact pour montage en surface : 8-UDFN (2 x 3 mm) avec pastille exposée pour des performances thermiques et un encombrement optimaux.
  • Large plage de tension de fonctionnement : la tension d’alimentation de 1,8 V à 5,5 V prend en charge de multiples architectures système.
  • Performances d'écriture efficaces : cycle d'écriture de 5 ms pour des mises à jour de données rapides
  • Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales

Spécifications techniques

Applications et cas d'utilisation

Cette EEPROM de qualité automobile est parfaitement adaptée pour :

  • Paramètres de stockage et de configuration des données d'étalonnage des calculateurs automobiles
  • Systèmes de contrôle industriels nécessitant un stockage non volatil des paramètres
  • Applications d'instrumentation et d'enregistrement de données aérospatiales
  • Configuration des dispositifs médicaux et conservation des données des patients
  • Comptage intelligent et nœuds de capteurs IoT
  • Systèmes de sécurité et dispositifs de contrôle d'accès

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant onsemi
Gamme de produits
Conditionnement Usine | Ruban découpé (CT)
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire EEPROM
Technologie EEPROM
Taille de la mémoire 1 Kbit
Organisation de la mémoire 128 x 8
Interface mémoire SPI
Fréquence d'horloge 10 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 5 ms
Temps d'accès 35 ns
Tension - Alimentation 1,8 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C (TA)
Grade Automobile
Qualification AEC-Q100
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui Coussinet exposé 8-UFDFN
Emballage du dispositif du fournisseur 8-UDFN (2x3)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY