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NV9582F1P3-RA - Contrôleur Flyback intégré GaNSense™

Le NV9582F1P3-RA de Navitas Semiconductor représente une technologie de pointe en matière de conversion de puissance au nitrure de gallium (GaN). Ce circuit intégré avancé combine des transistors FET de puissance GaN haute tension avec des fonctions intelligentes de contrôle et de protection, offrant une efficacité et une fiabilité supérieures pour les applications d'alimentation AC-DC.

Principales caractéristiques et avantages

  • Capacité haute tension de 700 V : tension de claquage robuste pour les applications d'entrée CA universelles
  • Commutateur de puissance GaN intégré : élimine les composants externes, réduit l’encombrement du circuit imprimé et le coût de la nomenclature
  • Redressement synchrone côté secondaire : topologie flyback optimisée pour une efficacité maximale
  • Plage de tension d'entrée étendue : alimentation de 6,5 V à 77 V avec tension de démarrage de 13,5 V.
  • Protection complète : protection intégrée contre les surcharges, les surchauffes, les surtensions et les courts-circuits.
  • Fréquence de commutation flexible : fonctionnement bimode à 100 kHz et 129 kHz
  • Plage de températures étendue : fonctionnement à température ambiante de -40 °C à 125 °C pour les environnements exigeants
  • Boîtier compact pour montage en surface : 23-QFN (5 x 6 mm) pour les conceptions à espace restreint

Applications typiques

  • Adaptateurs et chargeurs AC-DC
  • Alimentations pour appareils électroniques grand public
  • Équipements industriels et de télécommunications
  • pilotes d'éclairage LED
  • modules d'alimentation auxiliaires

Pourquoi choisir la technologie GaNSense™ ?

Les circuits intégrés Navitas GaNSense™ intègrent la puissance, la commande, le contrôle et la protection GaN pour offrir une charge jusqu'à 3 fois plus rapide, une densité de puissance 3 fois supérieure et jusqu'à 40 % d'économies d'énergie par rapport aux solutions silicium traditionnelles. Le NV9582F1P3-RA est ainsi idéal pour les systèmes de conversion de puissance de nouvelle génération exigeant un rendement élevé, une taille compacte et une grande fiabilité.

Spécifications techniques

Les spécifications peuvent être modifiées sans préavis. Veuillez consulter la fiche technique du fabricant pour obtenir des informations techniques complètes et des recommandations d'application.


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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Navitas Semiconductor, Inc.
Gamme de produits GaNSense™
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Isolation de la sortie Isolé
Interrupteur(s) interne(s) Oui
Tension - Claquage 700 V
Topologie Flyback, côté secondaire SR
Tension - Démarrage 13,5 V
Tension d'alimentation (Vcc/Vdd) 6,5 V ~ 77 V
Cycle de service 75%
Commutation de fréquence 100 kHz, 129 kHz
Puissance (Watts) -
Protection contre les défauts Surcharge, surchauffe, surtension, court-circuit
Fonctions de contrôle -
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 23-PowerVQFN
Emballage du dispositif du fournisseur 23-QFN (5x6)

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