Micron Technology Inc. PC28F512M29EWHB TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 16.74 | Dhs. 16.74 |
| 15+ | Dhs. 16.23 | Dhs. 243.45 |
| 25+ | Dhs. 15.88 | Dhs. 397.00 |
| 50+ | Dhs. 14.99 | Dhs. 749.50 |
| 100+ | Dhs. 13.23 | Dhs. 1,323.00 |
| N+ | Dhs. 2.65 | Price Inquiry |
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Mémoire flash NOR haute performance Micron PC28F512M29EWHB TR - 512 Mbit
La mémoire flash NOR parallèle PC28F512M29EWHB TR de Micron Technology est une solution de haute fiabilité de 512 Mbit conçue pour les applications industrielles, automobiles, de télécommunications et embarquées exigeantes nécessitant des temps d'accès rapides et une conservation des données à long terme.
Principales caractéristiques et avantages
- Capacité mémoire de 512 Mbits - Organisation flexible (64 Mo x 8 ou 32 Mo x 16) pour une intégration système polyvalente
- Temps d'accès ultra-rapide de 100 ns - Récupération rapide des données pour les applications critiques en temps réel
- Interface parallèle - Accès direct à la mémoire sans protocoles complexes
- Large plage de températures de fonctionnement - Performances fiables de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
- Fonctionnement à basse tension - Alimentation de 2,7 V à 3,6 V pour des conceptions économes en énergie
- Boîtier CMS (composant monté en surface) - Format compact 64-FBGA (11 x 13 mm) pour les conceptions à espace restreint
- Conforme à la norme RoHS - Construction écologique sans plomb
Applications idéales
Idéal pour le stockage de code, les mises à jour de firmware, l'enregistrement de données, le code de démarrage, le stockage du BIOS, les systèmes de contrôle industriels, l'électronique automobile, les équipements de télécommunications et les dispositifs médicaux nécessitant une mémoire non volatile à accès aléatoire rapide.
Spécifications techniques complètes
Pourquoi choisir ce composant ?
En tant que distributeur agréé, nous fournissons des composants Micron authentiques avec une traçabilité complète, un support technique et une livraison internationale fiable. Cette mémoire Flash NOR offre un équilibre parfait entre capacité, vitesse et fiabilité pour les applications professionnelles exigeant une disponibilité à long terme et des performances éprouvées.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Micron Technology Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Taille de la mémoire | 512 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 64 m x 8, 32 m x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 100 ns |
| Temps d'accès | 100 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 64-LBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 64-FBGA (11x13) |
| RoHS |  |
PC28F512M29EWHB TR.pdf