Renesas Electronics Corporation R1LP0108ESF-5SI#S0
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 17.12 | Dhs. 17.12 |
| 15+ | Dhs. 16.58 | Dhs. 248.70 |
| 25+ | Dhs. 16.22 | Dhs. 405.50 |
| 50+ | Dhs. 15.32 | Dhs. 766.00 |
| 100+ | Dhs. 13.52 | Dhs. 1,352.00 |
| N+ | Dhs. 2.70 | Price Inquiry |
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Renesas R1LP0108ESF-5SI#S0 - Circuit intégré de mémoire SRAM haute performance de 1 Mbit
La R1LP0108ESF-5SI#S0 de Renesas Electronics Corporation est une mémoire SRAM (mémoire vive statique) de 1 Mbit haute fiabilité, conçue pour les applications exigeantes nécessitant des temps d'accès rapides et une large plage de températures de fonctionnement. Cette solution de mémoire volatile présente une organisation de 128 Ko x 8 avec interface parallèle, ce qui la rend idéale pour les applications aérospatiales, automobiles, industrielles, de télécommunications et médicales.
Principales caractéristiques et avantages
- Temps d'accès rapide : un temps d'accès de 55 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
- Plage de fonctionnement robuste : plage de températures de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
- Tension standard : alimentation de 4,5 V à 5,5 V pour une intégration facile.
- Boîtier compact : boîtier de montage en surface 32-TSOP I (largeur de 18,40 mm)
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes internationales.
- Interface parallèle : Intégration simple avec les systèmes anciens et modernes
Applications
Cette mémoire SRAM est parfaitement adaptée aux systèmes embarqués, aux contrôleurs industriels, à l'électronique automobile, aux équipements de télécommunications et aux dispositifs médicaux où un accès mémoire fiable et rapide est essentiel.
Spécifications techniques
Pourquoi choisir ce composant ?
Bénéficiant de la réputation de qualité et de fiabilité de Renesas, cette mémoire SRAM offre un support technique étendu et une traçabilité complète, essentiels pour les applications critiques. Notre distributeur agréé garantit des composants authentiques, une documentation complète et un support technique.
Besoin d'aide concernant les ressources de conception ou les spécifications techniques ? Contactez notre équipe pour obtenir des conseils d'experts sur l'intégration de ce circuit intégré de mémoire dans votre application.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société électronique Renesas |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM |
| Taille de la mémoire | 1 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 128K x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 55 ns |
| Temps d'accès | 55 ns |
| Tension - Alimentation | 4,5 V ~ 5,5 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 32-TFSOP (0,724", largeur 18,40 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 32-TSOP I |
| RoHS |  |
R1LP0108ESF-5SI#S0.pdf