Renesas Electronics Corporation R1LP0108ESN-5SI#S1
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 10.86 | Dhs. 10.86 |
| 15+ | Dhs. 10.52 | Dhs. 157.80 |
| 25+ | Dhs. 10.29 | Dhs. 257.25 |
| 50+ | Dhs. 9.72 | Dhs. 486.00 |
| 100+ | Dhs. 8.57 | Dhs. 857.00 |
| N+ | Dhs. 1.71 | Price Inquiry |
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La R1LP0108ESN-5SI#S1 est une mémoire vive statique (SRAM) haute performance de 1 Mbit de Renesas Electronics Corporation, conçue pour les applications critiques nécessitant une fiabilité exceptionnelle et des temps d'accès rapides.
Caractéristiques principales :
- Capacité de mémoire de 1 Mbit avec une organisation de 128 Ko x 8
- Temps d'accès ultra-rapide de 55 ns pour une récupération de données ultra-rapide
- Large plage de tension de fonctionnement : 4,5 V à 5,5 V
- Plage de température étendue : -40 °C à 85 °C (TA)
- Interface mémoire parallèle pour une intégration simple
- Boîtier CMS 32-SOIC/32-SOP
- Conforme à la directive RoHS pour la sécurité environnementale
Applications : Cette mémoire SRAM volatile est idéale pour les systèmes aérospatiaux, l'électronique automobile, les systèmes de contrôle industriels, les dispositifs médicaux et les équipements de télécommunications où la mise en mémoire tampon de données à haute vitesse et le stockage temporaire sont essentiels.
Spécifications techniques :
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Chez HQICKEY , nous sommes spécialisés dans la fourniture de composants semi-conducteurs haut de gamme pour les applications les plus exigeantes. Notre vaste gamme de mémoires comprend des produits de pointe de fabricants renommés tels que Renesas, garantissant ainsi à vos projets une fiabilité et des performances éprouvées.
Ressources et assistance techniques :
Besoin de conseils d'application ou de spécifications techniques ? Consultez notre blog technique pour des articles approfondis, des notes d'application et des analyses sectorielles qui vous aideront à prendre des décisions éclairées concernant vos besoins en semi-conducteurs.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société électronique Renesas |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande coupée (CT) | Bande et bobine (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM |
| Taille de la mémoire | 1 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 128K x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 55 ns |
| Temps d'accès | 55 ns |
| Tension - Alimentation | 4,5 V ~ 5,5 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 32-SOIC (0,450", largeur 11,40 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 32-SOP |
| RoHS |  |
R1LP0108ESN-5SI#S1.pdf