Renesas Electronics Corporation R1LP0108ESN-7SI#S0
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 17.12 | Dhs. 17.12 |
| 15+ | Dhs. 16.58 | Dhs. 248.70 |
| 25+ | Dhs. 16.22 | Dhs. 405.50 |
| 50+ | Dhs. 15.32 | Dhs. 766.00 |
| 100+ | Dhs. 13.52 | Dhs. 1,352.00 |
| N+ | Dhs. 2.70 | Price Inquiry |
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Renesas R1LP0108ESN-7SI#S0 - Circuit intégré de mémoire SRAM haute performance de 1 Mbit
Le circuit intégré R1LP0108ESN-7SI#S0 de Renesas Electronics est une mémoire SRAM (mémoire vive statique) de 1 Mbit haute fiabilité, conçue pour les applications exigeantes des secteurs industriel, automobile, des télécommunications et aérospatial. Doté d'une interface parallèle avec une organisation de 128 Ko x 8 et un temps d'accès rapide de 70 ns, ce circuit intégré de mémoire à montage en surface offre des performances constantes sur une large plage de températures.
Principales caractéristiques et avantages
- Capacité mémoire de 1 Mbit : l’organisation 128 Ko x 8 offre un stockage de données flexible pour les systèmes embarqués.
- Temps d'accès ultra-rapide de 70 ns : garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
- Large plage de fonctionnement : fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C (TA) pour les environnements difficiles.
- Alimentation standard : la compatibilité 4,5 V à 5,5 V simplifie l'intégration dans les conceptions existantes
- Interface parallèle : accès mémoire direct sans protocoles complexes
- Boîtier CMS : 32-SOP (32-SOIC) pour l’assemblage automatisé et les agencements de circuits imprimés compacts.
- Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales pour une distribution mondiale
Applications idéales
Ce circuit intégré SRAM est parfaitement adapté aux systèmes aérospatiaux, à l'électronique automobile, aux équipements de contrôle industriel, aux infrastructures de télécommunications, aux dispositifs médicaux et à toute application nécessitant une fiabilité comparable à celle des mémoires non volatiles avec la vitesse des mémoires volatiles.
Spécifications techniques complètes
En tant que distributeur agréé Renesas, nous fournissons des composants authentiques avec une traçabilité complète et un support à long terme pour vos applications critiques.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société électronique Renesas |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM |
| Taille de la mémoire | 1 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 128K x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 70ns |
| Temps d'accès | 70 ns |
| Tension - Alimentation | 4,5 V ~ 5,5 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 32-SOIC (0,450", largeur 11,40 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 32-SOP |
| RoHS |  |
R1LP0108ESN-7SI#S0.pdf