Renesas Electronics Corporation R1LP0108ESN-7SR#S0
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 17.12 | Dhs. 17.12 |
| 15+ | Dhs. 16.58 | Dhs. 248.70 |
| 25+ | Dhs. 16.22 | Dhs. 405.50 |
| 50+ | Dhs. 15.32 | Dhs. 766.00 |
| 100+ | Dhs. 13.52 | Dhs. 1,352.00 |
| N+ | Dhs. 2.70 | Price Inquiry |
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Renesas R1LP0108ESN-7SR#S0 - Mémoire SRAM parallèle haute performance de 1 Mbit
La R1LP0108ESN-7SR#S0 de Renesas Electronics est une mémoire SRAM haute vitesse de 1 Mbit conçue pour les applications exigeant une mémoire volatile rapide et fiable. Avec un temps d'accès de 70 ns et une interface parallèle, cette SRAM offre des performances exceptionnelles pour les systèmes embarqués, les commandes industrielles et les applications de mise en mémoire tampon de données.
Principales caractéristiques et avantages
- Temps d'accès rapide : un cycle d'accès et d'écriture de 70 ns garantit une récupération rapide des données.
- Organisation flexible : architecture mémoire 128K x 8 pour un stockage de données polyvalent
- Large plage de tension : fonctionne de 4,5 V à 5,5 V pour une compatibilité avec les systèmes 5 V standard.
- Plage de températures industrielles : Fonctionnement fiable de 0 °C à 70 °C
- Boîtier CMS : 32-SOP (32-SOIC) pour une intégration efficace sur circuit imprimé
- Conforme à la norme RoHS : construction écologique et sans plomb
Applications idéales
Idéal pour les contrôleurs industriels, les équipements de télécommunications, les systèmes automobiles, les dispositifs médicaux et toute application nécessitant un stockage de données temporaire à haute vitesse avec accès à une interface parallèle.
Spécifications techniques complètes
Toutes les spécifications sont sujettes à la fiche technique du fabricant. Contactez-nous pour obtenir des tarifs dégressifs, des emballages personnalisés ou une assistance technique.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société électronique Renesas |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM |
| Taille de la mémoire | 1 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 128K x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 70ns |
| Temps d'accès | 70 ns |
| Tension - Alimentation | 4,5 V ~ 5,5 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 32-SOIC (0,450", largeur 11,40 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 32-SOP |
| RoHS |  |
R1LP0108ESN-7SR#S0.pdf