Renesas Electronics Corporation R1LP5256ESA-5SI#S1

Renesas R1LP5256ESA-5SI#S1 - Circuit intégré de mémoire SRAM haute performance de 256 kbits

Le R1LP5256ESA-5SI#S1 de Renesas Electronics Corporation est un circuit intégré de mémoire SRAM (mémoire vive statique) haute performance de 256 kbits, conçu pour les systèmes embarqués et les applications industrielles exigeant un stockage de données volatile rapide et fiable. Cette SRAM à interface parallèle dispose d'une architecture 32K x 8 et d'un temps d'accès remarquable de 55 ns, ce qui la rend idéale pour les applications nécessitant un accès et un traitement rapides des données.

Principales caractéristiques et avantages

• Temps d'accès rapide : un temps d'accès de 55 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
• Organisation flexible de la mémoire : la configuration 32K x 8 offre des options de stockage de données polyvalentes
• Large plage de fonctionnement : la plage de températures de -40 °C à 85 °C convient aux environnements industriels et automobiles.
• Alimentation standard : fonctionnement de 4,5 V à 5,5 V, compatible avec la plupart des systèmes embarqués.
• Boîtier CMS : boîtier TSSOP 28 broches (11,80 mm de largeur) pour une intégration optimale sur circuit imprimé.
• Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales

Applications idéales

Ce circuit intégré SRAM est parfaitement adapté aux contrôleurs industriels, aux systèmes embarqués, à la mise en mémoire tampon des données, à la mémoire cache, à l'électronique automobile, aux dispositifs médicaux et aux équipements de télécommunications où un accès mémoire fiable et rapide est essentiel.

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Spécifications techniques

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