Renesas Electronics Corporation R1LP5256ESP-5SI#S0

Renesas R1LP5256ESP-5SI#S0 - SRAM parallèle haute fiabilité 256 Kbits

La R1LP5256ESP-5SI#S0 de Renesas Electronics est une mémoire SRAM haute performance de 256 kbits conçue pour les applications critiques exigeant des temps d'accès rapides et une plage de températures de fonctionnement étendue. Avec un temps d'accès de 55 ns et une plage de températures de fonctionnement industrielle (-40 °C à 85 °C), cette SRAM est idéale pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, du médical et des systèmes de contrôle industriels.

Caractéristiques principales

• Accès rapide : temps d’accès de 55 ns pour une récupération rapide des données
• Organisation flexible : architecture mémoire 32K x 8
• Plage de température de fonctionnement étendue : -40 °C à 85 °C (TA)
• Tension standard : alimentation de 4,5 V à 5,5 V
• Montage en surface : boîtier 28-SOIC/28-SOP pour assemblage automatisé
• Conforme à la norme RoHS : construction écologique et sans plomb

Applications

Idéal pour les systèmes embarqués, la mise en mémoire tampon des données, la mémoire cache, les contrôleurs industriels, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux et les équipements de télécommunications où la fiabilité et la performance sont primordiales.

Spécifications techniques complètes

Pourquoi choisir Renesas SRAM ?

Renesas Electronics est un leader mondial des solutions semi-conducteurs, fort de plusieurs décennies d'expertise dans les technologies de mémoire. Cette SRAM offre une traçabilité complète, une disponibilité à long terme et un support technique exhaustif incluant des fiches techniques et des schémas de référence pour une intégration aisée.

Besoin d'assistance technique ? Notre équipe d'ingénieurs propose un accompagnement à l'intégration pour vous aider à intégrer ce composant dans votre application.

Avantages en termes de performances pour les applications critiques

Le R1LP5256ESP-5SI#S0 offre des performances exceptionnelles qui en font le choix idéal pour les applications industrielles et embarquées exigeantes. Son temps d'accès de 55 ns garantit une récupération rapide des données pour les opérations critiques, tandis que sa large plage de températures industrielles assure un fonctionnement fiable même dans des environnements difficiles, de -40 °C à 85 °C.

Cette mémoire SRAM parallèle est dotée d'une organisation mémoire 32K x 8 optimisée pour les accès aux données par octet, courants dans les systèmes de microcontrôleurs et de processeurs. Son alimentation standard de 5 V (4,5 V à 5,5 V) garantit la compatibilité avec les systèmes existants et les plateformes de contrôle industriel, tandis que son boîtier CMS 28-SOP permet un assemblage automatisé pour la production en grande série.

Qualité et conformité

Fabriqué selon les normes de qualité les plus strictes, ce composant est conforme à la directive RoHS et répond aux réglementations environnementales les plus exigeantes. Chaque unité est accompagnée d'une documentation de traçabilité complète et bénéficie de l'engagement de Renesas en matière de disponibilité tout au long du cycle de vie, assurant ainsi la compatibilité de vos conceptions pour les années à venir.

Ressources et catégories de produits connexes

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