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Renesas R1LP5256ESP-5SI#S1 - Circuit intégré de mémoire SRAM parallèle haute performance de 256 kbits

Le R1LP5256ESP-5SI#S1 de Renesas Electronics Corporation est un circuit intégré de mémoire SRAM (mémoire vive statique) de 256 kbits haute fiabilité, conçu pour les systèmes embarqués et les applications industrielles exigeant une mémoire volatile rapide avec une architecture d'interface parallèle. Cette SRAM à montage en surface offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès de 55 ns et un fonctionnement fiable sur une large plage de températures.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances d'accès rapide : un temps d'accès de 55 ns et un temps de cycle d'écriture de 55 ns garantissent une récupération rapide des données pour les applications critiques.
  • Organisation flexible de la mémoire : l’architecture 32 Ko x 8 bits offre un stockage de données polyvalent pour les systèmes à microcontrôleur et FPGA.
  • Large plage de tension de fonctionnement : alimentation de 4,5 V à 5,5 V, compatible avec les systèmes logiques 5 V standard.
  • Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C (TA) pour des conditions environnementales difficiles.
  • Interface parallèle : L’interface de bus parallèle standard simplifie l’intégration avec les systèmes embarqués anciens et modernes.
  • Boîtier CMS : format compact 28-SOIC (0,330 pouce, largeur 8,40 mm) optimisé pour l’assemblage automatisé
  • Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales en matière de fabrication sans plomb

Applications idéales

Cette mémoire SRAM est parfaitement adaptée aux contrôleurs industriels, aux systèmes d'acquisition de données, aux plateformes informatiques embarquées, aux équipements de télécommunications, à l'électronique automobile et à toute application nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable avec accès parallèle.

Spécifications techniques

Garantie de qualité et d'authenticité

Tous les circuits intégrés mémoire Renesas proviennent directement de distributeurs agréés et sont accompagnés d'une traçabilité complète et d'une certification d'authenticité. Nous garantissons une disponibilité à long terme et un support technique dédié pour répondre à vos besoins de production.

Produits et ressources connexes

Découvrez notre gamme complète de circuits intégrés de mémoire, incluant les solutions SRAM, DRAM, Flash et EEPROM. Consultez notre page d'accueil pour parcourir notre catalogue complet de composants électroniques embarqués et industriels. Pour des analyses techniques et des actualités du secteur, consultez notre blog technique .

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Société électronique Renesas
Gamme de produits
Conditionnement Bande coupée (CT) | Bande et bobine (TR)
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM
Taille de la mémoire 256 Kbits
Organisation de la mémoire 32K x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 55 ns
Temps d'accès 55 ns
Tension - Alimentation 4,5 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 28-SOIC (0,330", largeur 8,40 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 28-SOP
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY