Renesas Electronics Corporation R1LP5256ESP-7SR#S0

Renesas R1LP5256ESP-7SR#S0 - Circuit intégré de mémoire SRAM haute performance de 256 kbits

La R1LP5256ESP-7SR#S0 de Renesas Electronics est une mémoire SRAM (Static Random Access Memory) 256 Kbits haute vitesse et basse consommation, conçue pour les applications embarquées nécessitant un stockage de données volatiles rapide et fiable. Avec un temps d'accès de 70 ns et une interface parallèle, cette SRAM offre des performances exceptionnelles pour la mise en mémoire tampon des données, la mémoire cache et le stockage temporaire dans les systèmes industriels, automobiles et de télécommunications.

Principales caractéristiques et avantages

• Temps d'accès rapide : un cycle de lecture/écriture de 70 ns garantit un traitement rapide des données.
• Organisation de la mémoire flexible : configuration 32 Ko x 8 optimisée pour les opérations à l’échelle de l’octet
• Large plage de tension de fonctionnement : alimentation de 4,5 V à 5,5 V pour une compatibilité avec les systèmes 5 V standard.
• Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C
• Boîtier CMS (composants montés en surface) : 28-SOIC/SOP pour l’assemblage automatisé et la conception de circuits imprimés compactes.
• Conforme à la norme RoHS : construction écologique et sans plomb

Applications typiques

Cette mémoire SRAM est idéale pour les contrôleurs embarqués, les systèmes d'acquisition de données, les équipements de réseau, l'automatisation industrielle, les terminaux de point de vente et toute application nécessitant un stockage de données temporaire à haute vitesse avec accès à une interface parallèle.

Spécifications techniques complètes

Toutes les spécifications sont sujettes à la fiche technique du fabricant. Contactez-nous pour connaître les tarifs dégressifs, les options d'emballage personnalisées et obtenir une assistance technique.