Renesas Electronics Corporation R1LV0108ESA-5SI#S1
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 10.56 | Dhs. 10.56 |
| 15+ | Dhs. 10.24 | Dhs. 153.60 |
| 25+ | Dhs. 10.02 | Dhs. 250.50 |
| 50+ | Dhs. 9.46 | Dhs. 473.00 |
| 100+ | Dhs. 8.35 | Dhs. 835.00 |
| N+ | Dhs. 1.67 | Price Inquiry |
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Présentation du produit
La R1LV0108ESA-5SI#S1 est une solution de mémoire SRAM 1 Mbit haute performance de Renesas Electronics Corporation, conçue pour les applications critiques exigeant une fiabilité et une intégrité des données exceptionnelles. Ce dispositif de mémoire volatile dispose d'une architecture 128 Ko x 8 avec interface parallèle, offrant des temps d'accès rapides de 55 ns pour les systèmes temps réel exigeants.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : un temps d’accès de 55 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications sensibles au temps.
- Large plage de tension de fonctionnement : la plage d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V offre une grande flexibilité pour différentes configurations de systèmes.
- Plage de température étendue : fonctionnement de -40 °C à 85 °C (TA), adapté aux environnements industriels et automobiles difficiles.
- Boîtier compact à montage en surface : le format 32-TFSOP (largeur de 11,80 mm) optimise l’espace sur la carte.
- Conforme à la norme RoHS : Conception respectueuse de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales
- Interface parallèle : Intégration simple avec les systèmes à microcontrôleurs anciens et modernes
Applications
Cette mémoire SRAM est idéale pour l'avionique aérospatiale, les systèmes de contrôle automobile, l'automatisation industrielle, les dispositifs médicaux, les infrastructures de télécommunications et toute application nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable avec une tolérance aux températures élevées.
Résumé des spécifications techniques
Capacité de mémoire de 1 Mbit organisée en 128K x 8, technologie SRAM, temps de cycle d'écriture de 55 ns, installation de montage en surface, disponible en options d'emballage Cut Tape (CT) et Tape & Reel (TR).
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société électronique Renesas |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande coupée (CT) | Bande et bobine (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM |
| Taille de la mémoire | 1 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 128K x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 55 ns |
| Temps d'accès | 55 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 32-TFSOP (0,465", largeur 11,80 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 32-TSOP I |
| RoHS |  |
R1LV0108ESA-5SI#S1.pdf