Renesas Electronics Corporation R1LV0108ESF-5SR#S0
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 17.12 | Dhs. 17.12 |
| 15+ | Dhs. 16.58 | Dhs. 248.70 |
| 25+ | Dhs. 16.22 | Dhs. 405.50 |
| 50+ | Dhs. 15.32 | Dhs. 766.00 |
| 100+ | Dhs. 13.52 | Dhs. 1,352.00 |
| N+ | Dhs. 2.70 | Price Inquiry |
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Renesas R1LV0108ESF-5SR#S0 - Circuit intégré de mémoire SRAM haute performance de 1 Mbit
La R1LV0108ESF-5SR#S0 de Renesas Electronics Corporation est une mémoire RAM statique (SRAM) de 1 Mbit à haute fiabilité conçue pour les applications industrielles, automobiles, de télécommunications et embarquées nécessitant une mémoire volatile rapide avec accès à l'interface parallèle.
Principales caractéristiques et avantages
- Temps d'accès rapide : un temps d'accès de 55 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
- Organisation de la mémoire flexible : configuration 128 Ko x 8 optimisée pour les opérations de données à l’échelle de l’octet
- Large plage de tension : la tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V prend en charge diverses conceptions de systèmes.
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C (TA)
- Conception pour montage en surface : boîtier TFSOP 32 (largeur de 18,40 mm) idéal pour l’assemblage automatisé
- Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales en matière de fabrication sans plomb
- Interface parallèle : accès direct à la mémoire sans protocoles série complexes
Applications typiques
- Systèmes embarqués nécessitant une mémoire tampon rapide
- équipements de contrôle et d'automatisation industriels
- Infrastructure de télécommunications
- Électronique et instrumentation automobile
- Dispositifs médicaux nécessitant un stockage de données fiable
- Mémoire cache pour systèmes à microcontrôleur
Spécifications techniques
Pourquoi choisir cette SRAM ?
Renesas Electronics est un leader reconnu dans le domaine des solutions de mémoire à semi-conducteurs, proposant des composants à la disponibilité éprouvée et bénéficiant d'un support technique complet. La mémoire R1LV0108ESF-5SR#S0 allie performances élevées, fonctionnement fiable sur une large plage de températures industrielles et conformité aux normes environnementales actuelles, ce qui en fait un choix idéal pour les applications critiques.
Conditionnement : Disponible en bande et bobine pour les processus de fabrication automatisés à grand volume.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société électronique Renesas |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM |
| Taille de la mémoire | 1 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 128K x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 55 ns |
| Temps d'accès | 55 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 32-TFSOP (0,724", largeur 18,40 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 32-TSOP I |
| RoHS |  |
R1LV0108ESF-5SR#S0.pdf