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Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 Dhs. 17.12 Dhs. 17.12
15+ Dhs. 16.58 Dhs. 248.70
25+ Dhs. 16.22 Dhs. 405.50
50+ Dhs. 15.32 Dhs. 766.00
100+ Dhs. 13.52 Dhs. 1,352.00
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Renesas R1LV0108ESF-7SI#S0 - Circuit intégré de mémoire SRAM haute performance de 1 Mbit

La R1LV0108ESF-7SI#S0 de Renesas Electronics est une mémoire SRAM (mémoire vive statique) de 1 Mbit haute fiabilité, conçue pour les applications exigeantes nécessitant des temps d'accès rapides et des performances stables sur une large plage de températures. Avec une organisation mémoire de 128 Ko x 8 et un temps d'accès de 70 ns, cette SRAM à interface parallèle offre des performances constantes pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, du contrôle industriel, des télécommunications et des équipements médicaux.

Principales caractéristiques et avantages

  • Temps d'accès ultra-rapide de 70 ns – Garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
  • Large plage de tension de fonctionnement (2,7 V - 3,6 V) - Compatibilité avec une large gamme d'alimentations
  • Plage de températures étendue (-40 °C à 85 °C) - Fonctionnement fiable dans des environnements industriels difficiles
  • Organisation de la mémoire 128K x 8 - Optimisée pour l'accès aux données octet par octet
  • Interface parallèle - Intégration simple avec les microcontrôleurs et les processeurs
  • Boîtier CMS 32-TSOP I - Conception compacte pour les circuits imprimés de petite taille
  • Conforme à la directive RoHS - Répond aux normes environnementales en matière de fabrication sans plomb

Applications idéales

Cette mémoire SRAM est parfaitement adaptée aux systèmes embarqués, à la mise en mémoire tampon des données, à la mémoire cache, aux contrôleurs d'automatisation industrielle, à l'électronique automobile, aux dispositifs médicaux et aux équipements de télécommunications où la fiabilité et les performances sont essentielles.

Spécifications techniques complètes

Pourquoi choisir Renesas ? Renesas Electronics est un leader mondial des solutions semi-conducteurs, reconnu pour fournir des composants de haute qualité et à longue durée de vie, d’une fiabilité exceptionnelle et bénéficiant d’un support technique complet.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Société électronique Renesas
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM
Taille de la mémoire 1 Mbit
Organisation de la mémoire 128K x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 70ns
Temps d'accès 70 ns
Tension - Alimentation 2,7 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 32-TFSOP (0,724", largeur 18,40 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 32-TSOP I
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY