Renesas Electronics Corporation R1LV0108ESF-7SI#S0
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 17.12 | Dhs. 17.12 |
| 15+ | Dhs. 16.58 | Dhs. 248.70 |
| 25+ | Dhs. 16.22 | Dhs. 405.50 |
| 50+ | Dhs. 15.32 | Dhs. 766.00 |
| 100+ | Dhs. 13.52 | Dhs. 1,352.00 |
| N+ | Dhs. 2.70 | Price Inquiry |
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Renesas R1LV0108ESF-7SI#S0 - Circuit intégré de mémoire SRAM haute performance de 1 Mbit
La R1LV0108ESF-7SI#S0 de Renesas Electronics est une mémoire SRAM (mémoire vive statique) de 1 Mbit haute fiabilité, conçue pour les applications exigeantes nécessitant des temps d'accès rapides et des performances stables sur une large plage de températures. Avec une organisation mémoire de 128 Ko x 8 et un temps d'accès de 70 ns, cette SRAM à interface parallèle offre des performances constantes pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, du contrôle industriel, des télécommunications et des équipements médicaux.
Principales caractéristiques et avantages
- Temps d'accès ultra-rapide de 70 ns – Garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
- Large plage de tension de fonctionnement (2,7 V - 3,6 V) - Compatibilité avec une large gamme d'alimentations
- Plage de températures étendue (-40 °C à 85 °C) - Fonctionnement fiable dans des environnements industriels difficiles
- Organisation de la mémoire 128K x 8 - Optimisée pour l'accès aux données octet par octet
- Interface parallèle - Intégration simple avec les microcontrôleurs et les processeurs
- Boîtier CMS 32-TSOP I - Conception compacte pour les circuits imprimés de petite taille
- Conforme à la directive RoHS - Répond aux normes environnementales en matière de fabrication sans plomb
Applications idéales
Cette mémoire SRAM est parfaitement adaptée aux systèmes embarqués, à la mise en mémoire tampon des données, à la mémoire cache, aux contrôleurs d'automatisation industrielle, à l'électronique automobile, aux dispositifs médicaux et aux équipements de télécommunications où la fiabilité et les performances sont essentielles.
Spécifications techniques complètes
Pourquoi choisir Renesas ? Renesas Electronics est un leader mondial des solutions semi-conducteurs, reconnu pour fournir des composants de haute qualité et à longue durée de vie, d’une fiabilité exceptionnelle et bénéficiant d’un support technique complet.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société électronique Renesas |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM |
| Taille de la mémoire | 1 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 128K x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 70ns |
| Temps d'accès | 70 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 32-TFSOP (0,724", largeur 18,40 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 32-TSOP I |
| RoHS |

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