Renesas Electronics Corporation R1LV0108ESF-7SR#S0
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 17.12 | Dhs. 17.12 |
| 15+ | Dhs. 16.58 | Dhs. 248.70 |
| 25+ | Dhs. 16.22 | Dhs. 405.50 |
| 50+ | Dhs. 15.32 | Dhs. 766.00 |
| 100+ | Dhs. 13.52 | Dhs. 1,352.00 |
| N+ | Dhs. 2.70 | Price Inquiry |
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Renesas R1LV0108ESF-7SR#S0 - Mémoire SRAM haute performance de 1 Mbit
La Renesas R1LV0108ESF-7SR#S0 est une mémoire SRAM statique de 1 Mbit haute fiabilité, conçue pour les applications aérospatiales, automobiles, industrielles, de télécommunications et médicales exigeant des temps d'accès rapides et une faible consommation d'énergie. Cette SRAM parallèle dispose d'une organisation mémoire de 128 Ko x 8 avec un temps d'accès de 70 ns, ce qui la rend idéale pour les systèmes embarqués, la mise en mémoire tampon des données et les applications de mémoire cache.
Principales caractéristiques et avantages
- Temps d'accès rapide de 70 ns - Permet une récupération rapide des données pour les applications critiques en termes de temps.
- Fonctionnement à basse tension (2,7 V - 3,6 V) : réduit la consommation d’énergie et prolonge l’autonomie de la batterie des appareils portables.
- Organisation 128K x 8 - Offre une architecture mémoire flexible pour répondre à diverses exigences système
- Boîtier CMS 32-TSOP I - Encombrement réduit optimisé pour les circuits imprimés haute densité
- Plage de températures industrielles (0 °C à 70 °C) - Fonctionnement fiable dans des conditions environnementales exigeantes
- Conforme à la directive RoHS - Répond aux normes environnementales pour une conformité au marché mondial
Applications
Ce composant SRAM est parfaitement adapté aux contrôleurs embarqués, aux systèmes d'automatisation industrielle, aux équipements de télécommunications, aux dispositifs médicaux, à l'électronique automobile et à toute application nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable avec interface parallèle.
Distribution et assistance agréées
En tant que distributeur agréé Renesas, nous fournissons des composants authentiques avec une traçabilité complète, une documentation technique, une assistance à l'intégration et un engagement sur tout le cycle de vie. Chaque unité est livrée avec un certificat du fabricant et bénéficie de notre programme d'assurance qualité.
Spécifications techniques complètes
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société électronique Renesas |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM |
| Taille de la mémoire | 1 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 128K x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 70ns |
| Temps d'accès | 70 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 32-TFSOP (0,724", largeur 18,40 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 32-TSOP I |
| RoHS |  |
R1LV0108ESF-7SR#S0.pdf