Renesas Electronics Corporation R1LV0108ESN-5SI#S1
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 7.60 | Dhs. 7.60 |
| 15+ | Dhs. 7.38 | Dhs. 110.70 |
| 25+ | Dhs. 7.22 | Dhs. 180.50 |
| 50+ | Dhs. 6.82 | Dhs. 341.00 |
| 100+ | Dhs. 6.02 | Dhs. 602.00 |
| N+ | Dhs. 1.20 | Price Inquiry |
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Renesas R1LV0108ESN-5SI#S1 - Circuit intégré de mémoire SRAM haute performance de 1 Mbit
La R1LV0108ESN-5SI#S1 de Renesas Electronics est une mémoire SRAM (mémoire vive statique) de 1 Mbit haute fiabilité, conçue pour les systèmes embarqués et les applications industrielles exigeant un accès mémoire parallèle rapide et non volatile. Avec une organisation de 128 Ko x 8 et un temps d'accès de 55 ns, cette SRAM offre des performances exceptionnelles pour la mise en mémoire tampon des données, la mémoire cache et les applications de traitement en temps réel.
Principales caractéristiques et avantages
- Capacité de mémoire de 1 Mbit - Organisation 128 Ko x 8 offrant un stockage de données flexible pour les applications embarquées
- Temps d'accès rapide de 55 ns - Garantit des opérations de lecture/écriture rapides pour les systèmes critiques en temps réel
- Large plage de tension de fonctionnement : la plage d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V prend en charge diverses configurations d’alimentation.
- Plage de températures industrielles - Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
- Boîtier CMS - 32-SOIC (largeur 11,40 mm) pour une intégration efficace sur circuit imprimé
- Interface parallèle - Accès direct à la mémoire sans protocoles complexes
Applications idéales
Cette mémoire SRAM est idéale pour les systèmes à microcontrôleur, la mise en mémoire tampon des données FPGA, les contrôleurs d'automatisation industrielle, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux et les équipements de télécommunications où une mémoire rapide et fiable est essentielle.
Spécifications techniques
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Produits et ressources connexes
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société électronique Renesas |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM |
| Taille de la mémoire | 1 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 128K x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 55 ns |
| Temps d'accès | 55 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 32-SOIC (0,450", largeur 11,40 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 32-SOP |
| RoHS |  |
R1LV0108ESN-5SI#S1.pdf