Renesas Electronics Corporation R1LV5256ESA-5SI#S0
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 17.12 | Dhs. 17.12 |
| 15+ | Dhs. 16.58 | Dhs. 248.70 |
| 25+ | Dhs. 16.22 | Dhs. 405.50 |
| 50+ | Dhs. 15.32 | Dhs. 766.00 |
| 100+ | Dhs. 13.52 | Dhs. 1,352.00 |
| N+ | Dhs. 2.70 | Price Inquiry |
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Renesas R1LV5256ESA-5SI#S0 - Mémoire SRAM haute performance de 256 Kbits
La R1LV5256ESA-5SI#S0 de Renesas Electronics est une mémoire vive statique (SRAM) de 256 Kbits à haute fiabilité conçue pour les applications industrielles, automobiles et embarquées nécessitant des temps d'accès rapides et de larges plages de températures de fonctionnement.
Caractéristiques principales
- Capacité mémoire : 256 Kbits organisés en 32 K x 8
- Temps d'accès rapide : 55 ns pour une récupération rapide des données
- Fonctionnement à basse tension : tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V
- Plage de températures industrielles : -40 °C à 85 °C (TA)
- Interface parallèle : intégration facile avec les microcontrôleurs et les processeurs
- Boîtier CMS : 28-TSOP I pour circuits imprimés compacts
- Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement
Applications
Idéal pour la mise en mémoire tampon des données, la mémoire cache, les systèmes embarqués, le contrôle industriel, l'électronique automobile et les équipements de télécommunications où une mémoire volatile fiable et rapide est essentielle.
Spécifications techniques
Pourquoi choisir Renesas SRAM ?
Renesas Electronics est un leader mondial des solutions semi-conducteurs, reconnu pour sa fiabilité éprouvée, son support complet tout au long du cycle de vie et sa documentation technique exhaustive. Ce composant SRAM bénéficie de l'engagement de Renesas en matière de qualité et de disponibilité à long terme pour les applications critiques.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société électronique Renesas |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM |
| Taille de la mémoire | 256 Kbits |
| Organisation de la mémoire | 32K x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 55 ns |
| Temps d'accès | 55 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 28-TSSOP (0,465", largeur 11,80 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 28-TSOP I |
| RoHS |  |
R1LV5256ESA-5SI#S0.pdf