Renesas Electronics Corporation R1LV5256ESA-7SR#S0

Puce mémoire SRAM Renesas R1LV5256ESA-7SR#S0

Mémoire SRAM haute performance de 256 kbits de Renesas Electronics Corporation, conçue pour le stockage fiable de données dans les systèmes embarqués, les applications industrielles et les équipements de télécommunications. Cette SRAM à interface parallèle offre un temps d'accès rapide de 70 ns et fonctionne sur une large plage de tensions d'alimentation, de 2,7 V à 3,6 V.

Caractéristiques principales :

• Capacité mémoire : 256 Kbits (organisation 32 K x 8)
• Temps d'accès rapide : 70 ns pour une récupération rapide des données
• Fonctionnement à basse tension : tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V
• Interface parallèle : intégration facile avec les microcontrôleurs et les processeurs
• Boîtier CMS : 28-TSOP I (28-TSSOP) pour circuits imprimés compacts
• Plage de températures industrielles : 0 °C à 70 °C (TA)
• Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement

Applications :

Idéal pour les systèmes embarqués, la mise en mémoire tampon des données, la mémoire cache, les systèmes de contrôle industriels, les équipements de télécommunications, l'électronique automobile et toute application nécessitant un stockage de mémoire volatile rapide et fiable.

Spécifications techniques complètes :

Pourquoi choisir cette SRAM ?

Renesas Electronics est un leader reconnu dans la fabrication de semi-conducteurs, proposant des solutions de mémoire de haute qualité, d'une fiabilité éprouvée et bénéficiant d'un support technique étendu. Cette puce SRAM offre un équilibre parfait entre vitesse, efficacité énergétique et compatibilité pour les applications les plus exigeantes.