Renesas Electronics Corporation R1LV5256ESP-5SI#S1

Renesas R1LV5256ESP-5SI#S1 - Circuit intégré de mémoire SRAM haute performance de 256 kbits

Le R1LV5256ESP-5SI#S1 de Renesas Electronics Corporation est un circuit intégré de mémoire vive statique (SRAM) de 256 Kbits de qualité supérieure conçu pour les systèmes embarqués, l'automatisation industrielle, l'électronique automobile et les applications IoT nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable avec des capacités d'interface parallèle.

Principales caractéristiques et avantages

• Temps d'accès rapide : une vitesse d'accès de 55 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
• Organisation flexible de la mémoire : l’architecture 32 Ko x 8 offre un équilibre optimal pour les systèmes orientés octets.
• Large plage de tension de fonctionnement : la plage d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V prend en charge diverses configurations d’alimentation.
• Plage de températures industrielles : un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit une fiabilité optimale même dans des environnements difficiles.
• Boîtier CMS : le format 28-SOIC/28-SOP simplifie l’intégration sur circuit imprimé et l’assemblage automatisé
• Interface parallèle : accès direct à la mémoire sans protocoles série complexes
• Conforme à la norme RoHS : construction écologique et sans plomb

Applications idéales

Ce circuit intégré SRAM excelle dans les contrôleurs embarqués, la mise en mémoire tampon des données, la mémoire cache, les automates programmables industriels, les calculateurs automobiles, les dispositifs médicaux et les dispositifs IoT périphériques alimentés par batterie, où une mémoire volatile à faible consommation et à accès rapide est essentielle.

Spécifications techniques

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