Renesas Electronics Corporation R1RP0416DSB-2LR#S1
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 15.73 | Dhs. 15.73 |
| 15+ | Dhs. 15.24 | Dhs. 228.60 |
| 25+ | Dhs. 14.90 | Dhs. 372.50 |
| 50+ | Dhs. 14.08 | Dhs. 704.00 |
| 100+ | Dhs. 12.42 | Dhs. 1,242.00 |
| N+ | Dhs. 2.48 | Price Inquiry |
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Renesas R1RP0416DSB-2LR#S1 - SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit
La R1RP0416DSB-2LR#S1 de Renesas Electronics est une SRAM asynchrone haute vitesse de 4 Mbit conçue pour les applications embarquées exigeantes nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable. Avec une organisation de 256 Ko x 16 et un temps d'accès ultrarapide de 12 ns, ce circuit intégré de mémoire à interface parallèle offre des performances exceptionnelles pour les systèmes de contrôle industriels, les équipements de télécommunications, l'électronique automobile et les dispositifs médicaux.
Principales caractéristiques et avantages
- Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 12 ns garantit une latence minimale pour les applications critiques.
- Organisation flexible : la configuration 256K x 16 optimise le débit de données pour les processeurs 16 bits.
- Interface parallèle fiable : technologie SRAM asynchrone éprouvée avec intégration simple
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C pour les environnements commerciaux et industriels.
- Tension d'alimentation standard : fonctionnement de 4,5 V à 5,5 V, compatible avec les systèmes anciens et modernes.
- Boîtier compact : le boîtier CMS 44-TSOP II (largeur de 10,16 mm) permet de gagner de la place sur la carte.
- Conforme à la norme RoHS : Conception respectueuse de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales
Applications typiques
Cette mémoire SRAM haute performance est idéale pour les contrôleurs d'automatisation industrielle, les routeurs et commutateurs de réseau, les unités de contrôle des moteurs automobiles (ECU), les équipements d'imagerie médicale, les instruments de test et de mesure, et les systèmes avioniques aérospatiaux nécessitant un support à long terme et une fiabilité éprouvée.
Spécifications techniques complètes
Pourquoi choisir les solutions de mémoire Renesas ?
Renesas Electronics Corporation est un leader mondial de la fabrication de semi-conducteurs, fort de plusieurs décennies d'expertise dans les technologies de mémoire. La série R1RP0416D offre une fiabilité éprouvée, une disponibilité à long terme et un support technique complet : des atouts essentiels pour les équipementiers et les ingénieurs concepteurs de produits à cycle de vie prolongé. Des fiches techniques complètes et des notes d'application sont disponibles pour accélérer votre processus de conception.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société électronique Renesas |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 4 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 256K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 12ns |
| Temps d'accès | 12 ns |
| Tension - Alimentation | 4,5 V ~ 5,5 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 44-TSOP II |
| RoHS |  |
R1RP0416DSB-2LR#S1.pdf