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15+ Dhs. 15.24 Dhs. 228.60
25+ Dhs. 14.90 Dhs. 372.50
50+ Dhs. 14.08 Dhs. 704.00
100+ Dhs. 12.42 Dhs. 1,242.00
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Renesas R1RP0416DSB-2PR#S1 - SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit

La Renesas R1RP0416DSB-2PR#S1 est une mémoire SRAM asynchrone haute vitesse de 4 Mbits conçue pour les applications embarquées exigeantes nécessitant un accès mémoire parallèle rapide et fiable. Avec un temps d'accès ultrarapide de 12 ns et une organisation en 256 Ko x 16, cette SRAM offre des performances exceptionnelles pour les systèmes de contrôle industriels, les équipements de télécommunications, l'électronique automobile et les applications aérospatiales.

Principales caractéristiques et avantages

  • Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 12 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
  • Capacité généreuse : l'organisation de 4 Mbit (256 Ko x 16) offre une mémoire tampon et cache suffisante.
  • Fonctionnement fiable sous 5 V : une large plage de tension (4,5 V ~ 5,5 V) garantit des performances stables quelles que soient les conditions d'alimentation.
  • Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C pour les environnements exigeants.
  • Conception pour montage en surface : boîtier 44-TSOP II optimisé pour l’assemblage automatisé et les conceptions à espace restreint.
  • Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial
  • Fiabilité éprouvée : Bénéficiez de la réputation de Renesas en matière de support et de traçabilité tout au long du cycle de vie.

Applications idéales

Cette SRAM asynchrone est parfaitement adaptée à l'avionique aérospatiale, aux calculateurs automobiles, aux contrôleurs d'automatisation industrielle, aux mémoires tampons de dispositifs médicaux, aux infrastructures de télécommunications et aux systèmes embarqués à haute fiabilité nécessitant des performances similaires à celles des mémoires non volatiles avec une capacité d'écriture instantanée.

Spécifications techniques complètes

Pourquoi choisir cette SRAM ?

Renesas Electronics Corporation applique des normes de qualité rigoureuses et offre un support complet tout au long du cycle de vie, faisant du R1RP0416DSB-2PR#S1 un excellent choix pour les conceptions exigeant une disponibilité à long terme et une traçabilité complète des composants. Son architecture asynchrone élimine la complexité de la synchronisation d'horloge tout en garantissant des performances déterministes.

Besoin de documentation technique ? Des fiches techniques complètes et des notes d’application sont disponibles pour vous accompagner dans votre processus d’intégration.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Société électronique Renesas
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 4 Mbits
Organisation de la mémoire 256K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 12ns
Temps d'accès 12 ns
Tension - Alimentation 4,5 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 44-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY