Renesas Electronics Corporation R1RP0416DSB-2PR#S1
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 15.73 | Dhs. 15.73 |
| 15+ | Dhs. 15.24 | Dhs. 228.60 |
| 25+ | Dhs. 14.90 | Dhs. 372.50 |
| 50+ | Dhs. 14.08 | Dhs. 704.00 |
| 100+ | Dhs. 12.42 | Dhs. 1,242.00 |
| N+ | Dhs. 2.48 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
Renesas R1RP0416DSB-2PR#S1 - SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit
La Renesas R1RP0416DSB-2PR#S1 est une mémoire SRAM asynchrone haute vitesse de 4 Mbits conçue pour les applications embarquées exigeantes nécessitant un accès mémoire parallèle rapide et fiable. Avec un temps d'accès ultrarapide de 12 ns et une organisation en 256 Ko x 16, cette SRAM offre des performances exceptionnelles pour les systèmes de contrôle industriels, les équipements de télécommunications, l'électronique automobile et les applications aérospatiales.
Principales caractéristiques et avantages
- Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 12 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
- Capacité généreuse : l'organisation de 4 Mbit (256 Ko x 16) offre une mémoire tampon et cache suffisante.
- Fonctionnement fiable sous 5 V : une large plage de tension (4,5 V ~ 5,5 V) garantit des performances stables quelles que soient les conditions d'alimentation.
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C pour les environnements exigeants.
- Conception pour montage en surface : boîtier 44-TSOP II optimisé pour l’assemblage automatisé et les conceptions à espace restreint.
- Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial
- Fiabilité éprouvée : Bénéficiez de la réputation de Renesas en matière de support et de traçabilité tout au long du cycle de vie.
Applications idéales
Cette SRAM asynchrone est parfaitement adaptée à l'avionique aérospatiale, aux calculateurs automobiles, aux contrôleurs d'automatisation industrielle, aux mémoires tampons de dispositifs médicaux, aux infrastructures de télécommunications et aux systèmes embarqués à haute fiabilité nécessitant des performances similaires à celles des mémoires non volatiles avec une capacité d'écriture instantanée.
Spécifications techniques complètes
Pourquoi choisir cette SRAM ?
Renesas Electronics Corporation applique des normes de qualité rigoureuses et offre un support complet tout au long du cycle de vie, faisant du R1RP0416DSB-2PR#S1 un excellent choix pour les conceptions exigeant une disponibilité à long terme et une traçabilité complète des composants. Son architecture asynchrone élimine la complexité de la synchronisation d'horloge tout en garantissant des performances déterministes.
Besoin de documentation technique ? Des fiches techniques complètes et des notes d’application sont disponibles pour vous accompagner dans votre processus d’intégration.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société électronique Renesas |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 4 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 256K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 12ns |
| Temps d'accès | 12 ns |
| Tension - Alimentation | 4,5 V ~ 5,5 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 44-TSOP II |
| RoHS |

R1RP0416DSB-2PR#S1.pdf