Renesas Electronics Corporation R1RW0408DGE-2LR#B1
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 17.65 | Dhs. 17.65 |
| 15+ | Dhs. 17.09 | Dhs. 256.35 |
| 25+ | Dhs. 16.72 | Dhs. 418.00 |
| 50+ | Dhs. 15.79 | Dhs. 789.50 |
| 100+ | Dhs. 13.94 | Dhs. 1,394.00 |
| N+ | Dhs. 2.79 | Price Inquiry |
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Renesas R1RW0408DGE-2LR#B1 - Circuit intégré de mémoire SRAM parallèle 4 Mbit
La R1RW0408DGE-2LR#B1 de Renesas Electronics est une mémoire SRAM (mémoire vive statique) haute performance de 4 Mbits, conçue pour les applications exigeant une mémoire volatile rapide et fiable avec accès parallèle. Grâce à son organisation 512 Ko x 8 et son temps d'accès ultrarapide de 12 ns, cette SRAM est idéale pour les secteurs de l'aérospatiale, du contrôle industriel, des télécommunications et des systèmes embarqués nécessitant des performances mémoire déterministes.
Principales caractéristiques et avantages :
- Performances haute vitesse : temps d’accès et temps de cycle d’écriture de 12 ns pour les applications temps réel exigeantes
- Organisation flexible : architecture mémoire 512 Ko x 8 optimisée pour les opérations de données à l’échelle de l’octet
- Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V, température de fonctionnement de 0 °C à 70 °C
- Interface parallèle fiable : interface mémoire parallèle standard pour une intégration simple
- Boîtier CMS : 36-BSOJ (largeur de 10,16 mm) pour un assemblage automatisé et un gain de place.
- Stock autorisé : documentation complète du fabricant, traçabilité et assistance tout au long du cycle de vie
Applications cibles :
Cette SRAM est parfaitement adaptée aux mémoires tampons, aux applications de cache, à l'enregistrement de données, aux contrôleurs industriels, aux équipements de réseau, aux instruments de test et de mesure, et à tout système nécessitant une mémoire rapide et non persistante avec accès parallèle.
Spécifications techniques complètes :
Garantie du distributeur agréé : Tous les produits sont livrés avec la documentation complète du fabricant, les certificats de conformité et une traçabilité complète de la chaîne d’approvisionnement. Nous accompagnons les programmes à long terme et fournissons une assistance à l’intégration, des plans de référence et des ressources techniques pour garantir une intégration réussie.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société électronique Renesas |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Plateau | Plateau |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM |
| Taille de la mémoire | 4 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 512K x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 12ns |
| Temps d'accès | 12 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 36-BSOJ (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 36-SOJ |
| RoHS |  |
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