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Prix habituel Dhs. 15.73
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Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 Dhs. 15.73 Dhs. 15.73
15+ Dhs. 15.24 Dhs. 228.60
25+ Dhs. 14.90 Dhs. 372.50
50+ Dhs. 14.08 Dhs. 704.00
100+ Dhs. 12.42 Dhs. 1,242.00
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Renesas R1RW0416DSB-0PI#S1 - SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit

La Renesas R1RW0416DSB-0PI#S1 est une SRAM asynchrone 4 Mbit haut de gamme conçue pour les applications exigeantes nécessitant une mémoire rapide, fiable et non volatile. Avec un temps d'accès ultrarapide de 10 ns et une large plage de températures de fonctionnement ( de -40 °C à 85 °C) , ce circuit intégré mémoire offre des performances exceptionnelles pour les applications aérospatiales, automobiles, industrielles, de télécommunications, médicales et électroniques grand public.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : un temps d’accès de 10 ns et un temps de cycle d’écriture de 10 ns garantissent un traitement rapide des données pour les applications critiques en termes de temps.
  • Organisation flexible de la mémoire : la configuration 256 Ko x 16 offre un équilibre optimal pour les systèmes embarqués et la mise en mémoire tampon des données.
  • Large plage de tension : la tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V prend en charge diverses architectures d’alimentation.
  • Plage de température étendue : fonctionnement de -40 °C à 85 °C (TA) garantissant la fiabilité dans les environnements industriels difficiles
  • Boîtier compact pour montage en surface : le boîtier 44-TSOP II (0,400 pouce, largeur de 10,16 mm) permet des agencements de circuits imprimés peu encombrants.
  • Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales pour la distribution mondiale et la conformité réglementaire
  • Interface parallèle : simplifie l’intégration avec les architectures de microcontrôleurs anciennes et modernes.

Applications idéales

  • Systèmes avioniques et de commandes de vol aérospatiales
  • Modules ECU et ADAS automobiles
  • Automatisation industrielle et automates programmables
  • équipement d'infrastructure de télécommunications
  • Dispositifs de diagnostic et d'imagerie médicale
  • Systèmes embarqués à haute fiabilité nécessitant un support à long terme

Pourquoi choisir Renesas ?

Renesas Electronics Corporation est un leader mondial des solutions semi-conducteurs, reconnu pour la qualité et la traçabilité de ses composants, ainsi que pour la gestion complète de leur cycle de vie. Cette mémoire SRAM est accompagnée d'une documentation technique complète, de notes d'application et d'un support international, garantissant une intégration aisée et une disponibilité à long terme pour vos projets critiques.

Spécifications techniques complètes

Besoin d'assistance technique ou de tarifs dégressifs ? Contactez notre équipe pour obtenir des fiches techniques, des notes d'application et des solutions personnalisées adaptées aux exigences de votre projet.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Société électronique Renesas
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 4 Mbits
Organisation de la mémoire 256K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 10 ns
Temps d'accès 10 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 44-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY