Passer aux informations produits
1 de 1
Image shown is a representation only. Exact specifications should be obtained from the product data sheet.
Prix habituel Dhs. 15.73
Prix habituel Dhs. 16.56 Prix promotionnel Dhs. 15.73
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 Dhs. 15.73 Dhs. 15.73
15+ Dhs. 15.24 Dhs. 228.60
25+ Dhs. 14.90 Dhs. 372.50
50+ Dhs. 14.08 Dhs. 704.00
100+ Dhs. 12.42 Dhs. 1,242.00
N+ Dhs. 2.48 Price Inquiry
Frais d'expédition calculés à l'étape de paiement.
Quantité
Component Recycling

Request Quote / Inquiry

Renesas R1RW0416DSB-0PR#S1 - SRAM asynchrone haute vitesse 4 Mbit

La Renesas R1RW0416DSB-0PR#S1 est une SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit conçue pour les systèmes embarqués exigeant une mémoire volatile rapide et fiable. Avec un temps d'accès de 10 ns et une organisation de 256 Ko x 16, cette SRAM à interface parallèle offre une vitesse exceptionnelle pour les applications gourmandes en données dans les secteurs de l'industrie, des télécommunications et de l'automobile.

Principales caractéristiques et avantages

  • Accès ultra-rapide : temps d’accès et cycle d’écriture de 10 ns pour des opérations de données à haute vitesse
  • Densité de mémoire optimale : capacité de 4 Mbit organisée en 256 Ko x 16 pour un stockage de données efficace
  • Large plage de tension : fonctionnement de 3 V à 3,6 V pour une intégration système flexible
  • Plage de températures industrielles : 0 °C à 70 °C (TA) pour des performances fiables dans des environnements exigeants.
  • Boîtier CMS : 44-TSOP II (largeur de 10,16 mm) pour des circuits imprimés compacts.
  • Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales

Spécifications techniques

Applications

  • Systèmes de contrôle industriel et automatisation
  • Équipements et réseaux de télécommunications
  • Électronique automobile et infodivertissement
  • Dispositifs et instruments médicaux
  • Systèmes aérospatiaux et de défense
  • Mise en mémoire tampon et cache de données à haute vitesse

Pourquoi choisir Renesas SRAM ?

Renesas Electronics est un leader mondial des solutions semi-conducteurs, reconnu pour son support à long terme et sa fiabilité exceptionnelle. Le R1RW0416DSB-0PR#S1 offre une traçabilité garantie, une documentation technique complète et une disponibilité mondiale — des facteurs essentiels pour les équipementiers et les fournisseurs de services de fabrication électronique (EMS) qui conçoivent des systèmes critiques.

Conditionnement : Bande et bobine (TR) pour assemblage automatisé | Conformité : Certifié RoHS

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Société électronique Renesas
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 4 Mbit
Organisation de la mémoire 256K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 10 ns
Temps d'accès 10 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 44-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY