Renesas Electronics Corporation R1RW0416DSB-2PI#S1
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 15.73 | Dhs. 15.73 |
| 15+ | Dhs. 15.24 | Dhs. 228.60 |
| 25+ | Dhs. 14.90 | Dhs. 372.50 |
| 50+ | Dhs. 14.08 | Dhs. 704.00 |
| 100+ | Dhs. 12.42 | Dhs. 1,242.00 |
| N+ | Dhs. 2.48 | Price Inquiry |
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Renesas R1RW0416DSB-2PI#S1 - SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit
La R1RW0416DSB-2PI#S1 de Renesas Electronics Corporation est une SRAM asynchrone haute vitesse de 4 Mbit conçue pour les applications embarquées exigeantes nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable. Grâce à son temps d'accès de 12 ns et son interface parallèle, ce circuit intégré de mémoire offre des performances exceptionnelles pour les systèmes industriels, automobiles, de télécommunications et médicaux.
Principales caractéristiques et avantages
- Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 12 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
- Organisation flexible : architecture mémoire 256 Ko x 16 optimisée pour les systèmes de bus de données 16 bits
- Large plage de fonctionnement : plage de températures de -40 °C à 85 °C, adaptée aux environnements industriels et automobiles.
- Fonctionnement à basse tension : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour des conceptions économes en énergie
- Conception pour montage en surface : le boîtier 44-TSOP II permet des agencements de circuits imprimés compacts et un assemblage automatisé
- Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales pour une conformité optimale au marché mondial
Applications idéales
Cette mémoire SRAM asynchrone est parfaitement adaptée à la mise en mémoire tampon, à la mise en cache et au stockage temporaire de données dans les systèmes aérospatiaux, les contrôleurs industriels, les équipements réseau, les dispositifs médicaux et l'électronique automobile, où un support et une traçabilité à long terme sont essentiels.
Spécifications techniques complètes
Toutes les spécifications sont conservées à partir de la fiche technique du fabricant d'origine afin de garantir une traçabilité complète et une exactitude optimale pour la conception.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société électronique Renesas |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 4 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 256K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 12ns |
| Temps d'accès | 12 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 44-TSOP II |
| RoHS |  |
R1RW0416DSB-2PI#S1.pdf