Renesas Electronics Corporation R1RW0416DSB-2PR#S1

Renesas R1RW0416DSB-2PR#S1 - SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit

Le circuit intégré R1RW0416DSB-2PR#S1 de Renesas Electronics est une mémoire SRAM asynchrone haut de gamme de 4 Mbit conçue pour les applications d'interface parallèle à haute vitesse. Avec un temps d'accès ultrarapide de 12 ns et une organisation de 256 Ko x 16, cette SRAM à montage en surface offre des performances de mémoire volatile fiables pour les systèmes industriels, de télécommunications, automobiles et embarqués.

Principales caractéristiques et avantages :

• Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 12 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
• Configuration mémoire optimale : capacité de 4 Mbit organisée en 256 Ko x 16 pour une gestion efficace des données
• Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V et température de fonctionnement de 0 °C à 70 °C
• Conception compacte : Boîtier de montage en surface 44-TSOP II (largeur de 10,16 mm)
• Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes internationales
• Interface parallèle : Intégration simple avec les systèmes existants

Applications idéales :

Idéal pour les systèmes aérospatiaux, l'électronique automobile, les équipements de contrôle industriel, les infrastructures de télécommunications, les dispositifs médicaux et l'électronique grand public nécessitant un stockage de données temporaire rapide et fiable avec une prise en charge à long terme.

Spécifications techniques complètes :

• R1RW0416DSB-2PR#S1.pdf