Renesas Electronics Corporation R1RW0416DSB-2SR#D1
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 17.46 | Dhs. 17.46 |
| 15+ | Dhs. 16.92 | Dhs. 253.80 |
| 25+ | Dhs. 16.55 | Dhs. 413.75 |
| 50+ | Dhs. 15.63 | Dhs. 781.50 |
| 100+ | Dhs. 13.79 | Dhs. 1,379.00 |
| N+ | Dhs. 2.76 | Price Inquiry |
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Renesas R1RW0416DSB-2SR#D1 - SRAM asynchrone haute vitesse 4 Mbit
La R1RW0416DSB-2SR#D1 de Renesas Electronics est une SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit conçue pour les applications exigeant une mémoire volatile rapide et fiable. Avec un temps d'accès de 12 ns et une organisation de 256 Ko x 16, ce circuit intégré mémoire offre une vitesse exceptionnelle pour les applications industrielles, automobiles, de télécommunications et les systèmes embarqués.
Caractéristiques principales :
- Capacité de mémoire de 4 Mbit organisée en 256 K x 16
- Temps d'accès ultra-rapide de 12 ns pour des opérations de données à haut débit
- Tension d'alimentation de 3 V à 3,6 V pour les applications basse consommation
- Boîtier de montage en surface TSOP II 44 broches pour une conception de circuit imprimé compacte
- Plage de température de fonctionnement : 0 °C à 70 °C
- Conforme à la directive RoHS en matière de normes environnementales
Applications :
Idéal pour les équipements de réseau, les contrôleurs industriels, l'électronique automobile, les infrastructures de télécommunications et les applications de mise en mémoire tampon de données à haut débit où des temps d'accès rapides et des performances fiables sont essentiels.
Avantages réservés aux distributeurs agréés :
Nous fournissons des composants Renesas authentiques avec la documentation complète du fabricant, des certificats de traçabilité et un support tout au long du cycle de vie afin de protéger vos investissements en conception et d'assurer la continuité de l'approvisionnement.
Spécifications techniques complètes :
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société électronique Renesas |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Plateau | Plateau |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 4 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 256K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 12ns |
| Temps d'accès | 12 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 44-TSOP II |
| RoHS |  |
R1RW0416DSB-2SR#D1.pdf