Renesas Electronics Corporation RM24C512C-LSNI-T
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 355,889.44 | Dhs. 355,889.44 |
| 15+ | Dhs. 344,650.82 | Dhs. 5,169,762.30 |
| 25+ | Dhs. 337,158.41 | Dhs. 8,428,960.25 |
| 50+ | Dhs. 318,427.39 | Dhs. 15,921,369.50 |
| 100+ | Dhs. 280,965.35 | Dhs. 28,096,535.00 |
| N+ | Dhs. 56,193.07 | Price Inquiry |
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Renesas RM24C512C-LSNI-T - Circuit intégré de mémoire CBRAM haute fiabilité de 512 kbits
La puce RM24C512C-LSNI-T de Renesas Electronics est une mémoire CBRAM (Conductive Bridging RAM) de 512 kbits de pointe, issue de la gamme innovante Mavriq™ . Cette solution de mémoire non volatile offre une fiabilité et des performances exceptionnelles pour les systèmes embarqués nécessitant une mémoire rapide, basse consommation et d'une endurance supérieure.
Principales caractéristiques et avantages
- Technologie CBRAM avancée : mémoire non volatile offrant une endurance en écriture pratiquement illimitée et des cycles d'écriture rapides
- Interface I2C : interface série standard fonctionnant à 1 MHz pour une intégration facile
- Large plage de tension de fonctionnement : alimentation de 1,65 V à 3,6 V pour une conception d’alimentation flexible
- Plage de températures industrielles : Fonctionnement fiable de -40 °C à 85 °C
- Boîtier SOIC 8 broches compact : conception de montage en surface peu encombrante (largeur de 3,90 mm)
- Performances d'écriture rapides : écriture d'un mot en 100 µs, temps de cycle d'écriture d'une page en 5 ms
- Taille de page de 128 octets : organisation de la mémoire optimisée pour une gestion efficace des données
Applications
Idéal pour l'automatisation industrielle, l'électronique automobile, les appareils IoT, les équipements médicaux et toute application nécessitant un stockage de données non volatiles fiable avec une endurance en écriture élevée et une faible consommation d'énergie.
Spécifications techniques
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société électronique Renesas |
| Gamme de produits | Mavriq™ |
| Conditionnement | | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | CBRAM® |
| Technologie | CBRAM |
| Taille de la mémoire | 512 kbits |
| Organisation de la mémoire | Taille de la page : 128 octets |
| Interface mémoire | I2C |
| Fréquence d'horloge | 1 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 100 µs, 5 ms |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-SOIC |
| RoHS |  |
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