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15+ Dhs. 344,650.82 Dhs. 5,169,762.30
25+ Dhs. 337,158.41 Dhs. 8,428,960.25
50+ Dhs. 318,427.39 Dhs. 15,921,369.50
100+ Dhs. 280,965.35 Dhs. 28,096,535.00
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Renesas RM25C512C-LSNI-T - Circuit intégré de mémoire CBRAM haute performance

Le RM25C512C-LSNI-T de Renesas Electronics est un circuit intégré de mémoire non volatile CBRAM® (Conductive Bridging RAM) de 512 kbits de pointe, issu de la célèbre série Mavriq™ . Cette solution de mémoire avancée combine la vitesse de la SRAM avec la non-volatilité de la mémoire Flash, ce qui la rend idéale pour les systèmes embarqués, les objets connectés, l'automatisation industrielle et les applications d'acquisition de données.

Principales caractéristiques et avantages

  • Capacité mémoire de 512 Kbits – Stockage suffisant pour les données de configuration, les paramètres d'étalonnage et les journaux système.
  • Technologie CBRAM : endurance supérieure et vitesses d’écriture plus rapides que les EEPROM traditionnelles.
  • Interface SPI - Interface périphérique série standard de l'industrie pour une intégration facile avec les microcontrôleurs
  • Fréquence d'horloge de 20 MHz - Accès aux données et taux de transfert rapides pour les applications critiques en termes de temps.
  • Large plage de tension (1,65 V - 3,6 V) - Compatible avec les systèmes 1,8 V et 3,3 V, simplifiant la conception
  • Plage de températures industrielles (-40 °C à 85 °C) - Fonctionnement fiable dans des conditions environnementales difficiles
  • Faible consommation d'énergie - Idéal pour les conceptions alimentées par batterie et économes en énergie
  • Boîtier SOIC 8 broches pour montage en surface - Format compact pour les circuits imprimés à espace restreint

Spécifications techniques

Applications

Le RM25C512C-LSNI-T est parfaitement adapté pour :

  • Systèmes de contrôle industriel et automates programmables
  • Compteurs intelligents et systèmes de gestion de l'énergie
  • Dispositifs médicaux et équipements de diagnostic
  • Systèmes électroniques automobiles et ADAS
  • Dispositifs périphériques IoT et nœuds de capteurs
  • Stockage de la configuration pour FPGA et microcontrôleurs
  • enregistreurs de données et boîtes noires

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Société électronique Renesas
Gamme de produits Mavriq™
Conditionnement |
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire CBRAM®
Technologie CBRAM
Taille de la mémoire 512 kbits
Organisation de la mémoire Taille de la page : 128 octets
Interface mémoire SPI
Fréquence d'horloge 20 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 100 µs, 5 ms
Temps d'accès -
Tension - Alimentation 1,65 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 8-SOIC
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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