Renesas Electronics Corporation RM25C512C-LSNI-T
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 355,889.44 | Dhs. 355,889.44 |
| 15+ | Dhs. 344,650.82 | Dhs. 5,169,762.30 |
| 25+ | Dhs. 337,158.41 | Dhs. 8,428,960.25 |
| 50+ | Dhs. 318,427.39 | Dhs. 15,921,369.50 |
| 100+ | Dhs. 280,965.35 | Dhs. 28,096,535.00 |
| N+ | Dhs. 56,193.07 | Price Inquiry |
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Renesas RM25C512C-LSNI-T - Circuit intégré de mémoire CBRAM haute performance
Le RM25C512C-LSNI-T de Renesas Electronics est un circuit intégré de mémoire non volatile CBRAM® (Conductive Bridging RAM) de 512 kbits de pointe, issu de la célèbre série Mavriq™ . Cette solution de mémoire avancée combine la vitesse de la SRAM avec la non-volatilité de la mémoire Flash, ce qui la rend idéale pour les systèmes embarqués, les objets connectés, l'automatisation industrielle et les applications d'acquisition de données.
Principales caractéristiques et avantages
- Capacité mémoire de 512 Kbits – Stockage suffisant pour les données de configuration, les paramètres d'étalonnage et les journaux système.
- Technologie CBRAM : endurance supérieure et vitesses d’écriture plus rapides que les EEPROM traditionnelles.
- Interface SPI - Interface périphérique série standard de l'industrie pour une intégration facile avec les microcontrôleurs
- Fréquence d'horloge de 20 MHz - Accès aux données et taux de transfert rapides pour les applications critiques en termes de temps.
- Large plage de tension (1,65 V - 3,6 V) - Compatible avec les systèmes 1,8 V et 3,3 V, simplifiant la conception
- Plage de températures industrielles (-40 °C à 85 °C) - Fonctionnement fiable dans des conditions environnementales difficiles
- Faible consommation d'énergie - Idéal pour les conceptions alimentées par batterie et économes en énergie
- Boîtier SOIC 8 broches pour montage en surface - Format compact pour les circuits imprimés à espace restreint
Spécifications techniques
Applications
Le RM25C512C-LSNI-T est parfaitement adapté pour :
- Systèmes de contrôle industriel et automates programmables
- Compteurs intelligents et systèmes de gestion de l'énergie
- Dispositifs médicaux et équipements de diagnostic
- Systèmes électroniques automobiles et ADAS
- Dispositifs périphériques IoT et nœuds de capteurs
- Stockage de la configuration pour FPGA et microcontrôleurs
- enregistreurs de données et boîtes noires
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société électronique Renesas |
| Gamme de produits | Mavriq™ |
| Conditionnement | | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | CBRAM® |
| Technologie | CBRAM |
| Taille de la mémoire | 512 kbits |
| Organisation de la mémoire | Taille de la page : 128 octets |
| Interface mémoire | SPI |
| Fréquence d'horloge | 20 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 100 µs, 5 ms |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 8-SOIC |
| RoHS |
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