Renesas Electronics Corporation RMLV0816BGSD-4S2#HA1
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 15.74 | Dhs. 15.74 |
| 15+ | Dhs. 15.24 | Dhs. 228.60 |
| 25+ | Dhs. 14.90 | Dhs. 372.50 |
| 50+ | Dhs. 14.08 | Dhs. 704.00 |
| 100+ | Dhs. 12.42 | Dhs. 1,242.00 |
| N+ | Dhs. 2.48 | Price Inquiry |
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Renesas RMLV0816BGSD-4S2#HA1 - Circuit intégré de mémoire SRAM haute performance de 8 Mbit
La RMLV0816BGSD-4S2#HA1 de Renesas Electronics Corporation est une mémoire vive statique (SRAM) haute performance de 8 Mbit conçue pour les applications industrielles et embarquées exigeantes nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable avec une plage de température de fonctionnement étendue.
Principales caractéristiques et avantages
- Capacité mémoire de 8 Mbit – Organisée en 1 Mo x 8 ou 512 Ko x 16 pour une intégration système flexible
- Temps d'accès ultra-rapide de 45 ns – Garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques en termes de temps.
- Large plage de tension (2,4 V - 3,6 V) : compatible avec les systèmes 3,3 V et de tension inférieure pour une efficacité énergétique optimale.
- Plage de températures industrielles (-40 °C à 85 °C) - Fonctionnement fiable dans des conditions environnementales difficiles
- Interface parallèle - Intégration simple avec les microcontrôleurs et les processeurs
- Boîtier CMS 52-TSOP II - Conception compacte pour les circuits imprimés haute densité
- Conforme à la directive RoHS - Répond aux normes environnementales en matière de fabrication sans plomb
Applications idéales
Cette mémoire SRAM est parfaitement adaptée aux systèmes de contrôle industriels, à l'électronique automobile, aux équipements de télécommunications, aux dispositifs médicaux, aux systèmes aérospatiaux et à toute application nécessitant une mise en mémoire tampon de données à haute vitesse avec une prise en charge étendue du cycle de vie et une traçabilité.
Pourquoi choisir Renesas SRAM ?
Renesas Electronics Corporation est un leader mondial des solutions semi-conducteurs, offrant une fiabilité éprouvée, une documentation technique complète et une disponibilité produit à long terme, éléments essentiels pour les applications critiques. Le composant RMLV0816BGSD-4S2#HA1 répond aux exigences de performance et de durabilité de votre projet.
Spécifications techniques complètes
Les spécifications peuvent être modifiées par le fabricant. Veuillez consulter la fiche technique officielle de Renesas pour obtenir les informations les plus récentes.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société électronique Renesas |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM |
| Taille de la mémoire | 8 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 1M x 8, 512K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 45 ns |
| Temps d'accès | 45 ns |
| Tension - Alimentation | 2,4 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 52-TFSOP (0,350", largeur 8,89 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 52-TSOP II |
| RoHS |  |
RMLV0816BGSD-4S2#HA1.pdf