Infineon Technologies S25FL128SAGBHI313

Mémoire flash NOR haute performance Infineon S25FL128SAGBHI313

La mémoire flash non volatile S25FL128SAGBHI313 d'Infineon Technologies représente une technologie de pointe conçue pour les applications critiques dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'automatisation industrielle, des dispositifs médicaux et des télécommunications. Cette mémoire flash NOR de 128 Mbit offre une fiabilité et des performances exceptionnelles dans les environnements les plus exigeants.

Principales caractéristiques et avantages

• Performances à haute vitesse : l’interface Quad SPI avec une fréquence d’horloge de 133 MHz permet un accès et un transfert de données rapides.
• Capacité de stockage généreuse : 128 Mbits (16 Mo) organisés en 16 Mo x 8 pour une gestion flexible des données
• Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C, idéal pour les environnements difficiles.
• Large plage de tension : alimentation de 2,7 V à 3,6 V pour une intégration système polyvalente.
• Boîtier compact pour montage en surface : l’encombrement de 24 TBGA (6 x 8 mm) optimise l’espace sur la carte.
• Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales

Applications idéales

Cette solution de mémoire flash haute fiabilité est conçue pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage de données non volatiles, un stockage de firmware, un code de démarrage, des données de configuration et un enregistrement de données dans les contrôleurs industriels, les calculateurs automobiles, les équipements médicaux, les infrastructures de télécommunications et les systèmes aérospatiaux.

Spécifications techniques

Pourquoi choisir la mémoire flash Infineon ?

Infineon Technologies est un leader mondial des solutions semi-conducteurs, reconnu pour la qualité et la fiabilité de ses composants destinés aux applications critiques et exigeantes en termes de performances. La série FL-S associe la technologie éprouvée de la mémoire flash NOR à des procédés de fabrication avancés afin de garantir une conservation des données à long terme, une grande endurance et une fiabilité système optimale.

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