Infineon Technologies S26KL128SDABHI030

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Quantity Unit Price Total Price
1 Dhs. 17.16 Dhs. 17.16
15+ Dhs. 16.62 Dhs. 249.30
25+ Dhs. 16.25 Dhs. 406.25
50+ Dhs. 15.35 Dhs. 767.50
100+ Dhs. 13.55 Dhs. 1,355.00
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Infineon S26KL128SDABHI030 - Circuit intégré de mémoire HyperFlash NOR de 128 Mbit

La S26KL128SDABHI030 d'Infineon Technologies est une mémoire Flash NOR haute performance de 128 Mbit dotée de la technologie d'interface HyperBus™. Cette solution de mémoire non volatile offre une fiabilité et des performances exceptionnelles pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage de données rapide et fiable.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 100 MHz avec un temps d’accès de 96 ns pour une récupération rapide des données.
  • Grande capacité : l'organisation de la mémoire de 128 Mbit (16 Mo x 8) offre un espace de stockage suffisant pour le code et les données.
  • Interface avancée : l’interface HyperBus réduit le nombre de broches tout en maintenant un débit élevé.
  • Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V avec une plage de température industrielle (-40 °C à 85 °C)
  • Encombrement réduit : Boîtier CMS 24-FBGA (6 x 8 mm) peu encombrant
  • Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes internationales.

Applications idéales

Idéal pour l'électronique automobile, les systèmes de contrôle industriels, les équipements de télécommunications, les dispositifs médicaux et toute application embarquée nécessitant une mémoire non volatile fiable et rapide avec un support à long terme.

Spécifications techniques complètes

S'appuyant sur la réputation d'Infineon en matière de qualité et de fiabilité, ce composant est idéal pour les applications critiques nécessitant une disponibilité et une traçabilité à long terme.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Technologies Infineon
Gamme de produits HYPERFLASH™ KL
Conditionnement Plateau | Plateau
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR
Taille de la mémoire 128 Mbit
Organisation de la mémoire 16M x 8
Interface mémoire HyperBus
Fréquence d'horloge 100 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 96 ns
Tension - Alimentation 2,7 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 24-VBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 24-FBGA (6x8)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY