Infineon Technologies S27KS0642GABHA023
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 12.36 | Dhs. 12.36 |
| 15+ | Dhs. 11.96 | Dhs. 179.40 |
| 25+ | Dhs. 11.70 | Dhs. 292.50 |
| 50+ | Dhs. 11.05 | Dhs. 552.50 |
| 100+ | Dhs. 9.75 | Dhs. 975.00 |
| N+ | Dhs. 1.95 | Price Inquiry |
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Infineon S27KS0642GABHA023 - HyperRAM PSRAM haute performance de 64 Mbit
La mémoire Infineon S27KS0642GABHA023 est une mémoire pseudo-statique HyperRAM™ de 64 Mbits (8 Mo) de pointe, conçue pour les applications embarquées hautes performances exigeant une mémoire volatile rapide et fiable. Appartenant à la gamme avancée HYPERRAM™ KS d'Infineon, cette PSRAM offre une vitesse et une efficacité exceptionnelles pour les systèmes automobiles, industriels, médicaux et de télécommunications.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances ultra-rapides : l’interface HyperBus 200 MHz avec un temps d’accès de 35 ns garantit un débit de données rapide pour les applications critiques en termes de temps.
- Architecture mémoire optimisée : l’organisation 8M x 8 offre une gestion flexible de la mémoire pour les contrôleurs et processeurs embarqués.
- Large plage de fonctionnement : La tolérance aux températures de qualité industrielle (-40 °C à 85 °C) garantit un fonctionnement fiable dans des environnements difficiles.
- Fonctionnement à basse tension : une tension d’alimentation de 1,7 V à 2 V réduit la consommation d’énergie et la génération de chaleur.
- Boîtier compact : le boîtier CMS 24-FBGA (6 x 8 mm) optimise l'espace sur le circuit imprimé.
- Interface HyperBus : cette interface standard simplifie l’intégration et réduit le nombre de broches par rapport à la mémoire parallèle traditionnelle.
Applications idéales
Cette mémoire PSRAM haute fiabilité est conçue pour les systèmes critiques, notamment les systèmes ADAS et d'infodivertissement automobiles, les contrôleurs d'automatisation industrielle, les équipements d'imagerie médicale, l'infrastructure de télécommunications et les dispositifs informatiques de périphérie IoT, où une mémoire tampon rapide et une mise en cache des données sont essentielles.
Spécifications techniques
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Ressources connexes
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Technologies Infineon |
| Gamme de produits | HYPERRAM™ KS |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | PSRAM |
| Technologie | PSRAM (Pseudo SRAM) |
| Taille de la mémoire | 64 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 8M x 8 |
| Interface mémoire | HyperBus |
| Fréquence d'horloge | 200 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 35 ns |
| Temps d'accès | 35 ns |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 2 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 24-VBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 24-FBGA (6x8) |
| RoHS |

S27KS0642GABHA023.pdf