Infineon Technologies S29AL008J70BFN010

Infineon S29AL008J70BFN010 - Circuit intégré de mémoire flash NOR 8 Mbit

Le S29AL008J70BFN010 d'Infineon Technologies est un circuit intégré de mémoire Flash NOR 8 Mbit hautes performances, conçu pour les systèmes embarqués exigeant un stockage non volatil fiable et à longue durée de vie. Appartenant à la gamme éprouvée AL-J, cette mémoire Flash à interface parallèle offre un temps d'accès rapide de 70 ns et fonctionne sur une large plage de températures industrielles, de -40 °C à 125 °C, ce qui la rend idéale pour les applications automobiles, de contrôle industriel et critiques.

Principales caractéristiques et avantages

• Capacité de 8 Mbit : Organisation de la mémoire flexible prenant en charge les configurations 1M x 8 et 512K x 16
• Temps d'accès rapide : un accès en lecture de 70 ns permet une exécution de code et une récupération de données rapides.
• Qualité industrielle : La plage de températures étendue (-40 °C à 125 °C) garantit un fonctionnement fiable dans des environnements difficiles.
• Fonctionnement à basse tension : tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V pour des conceptions économes en énergie
• Interface parallèle : L’architecture de bus parallèle standard simplifie l’intégration avec les microcontrôleurs et les processeurs.
• Boîtier compact : le boîtier CMS 48-VFBGA (8,15 × 6,15 mm) permet un gain de place sur la carte.
• Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial

Applications

Cette mémoire Flash NOR est conçue pour les applications embarquées exigeantes, notamment les calculateurs automobiles, les contrôleurs industriels, les dispositifs médicaux, les équipements de télécommunications et tout système nécessitant le stockage du code de démarrage, les mises à jour du firmware ou la conservation des données de configuration avec une disponibilité à long terme garantie.

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Spécifications techniques

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