Infineon Technologies S29AS008J70BFA040
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 4.27 | Dhs. 4.27 |
| 15+ | Dhs. 4.14 | Dhs. 62.10 |
| 25+ | Dhs. 4.05 | Dhs. 101.25 |
| 50+ | Dhs. 3.83 | Dhs. 191.50 |
| 100+ | Dhs. 3.38 | Dhs. 338.00 |
| N+ | Dhs. 0.68 | Price Inquiry |
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Infineon S29AS008J70BFA040 - Mémoire Flash NOR haute performance de 8 Mbit
Le circuit intégré S29AS008J70BFA040 d'Infineon Technologies constitue une solution haut de gamme pour les applications embarquées et industrielles exigeant un stockage de mémoire non volatile fiable. Ce circuit intégré de mémoire Flash NOR de 8 Mbit offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès de 70 ns et des options d'organisation de mémoire flexibles.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : un temps d’accès de 70 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
- Organisation flexible : configurable en 1 Mo x 8 ou 512 Ko x 16 pour s’adapter à l’architecture de votre système.
- Fonctionnement à faible consommation : une tension d’alimentation de 1,65 V à 1,95 V optimise l’efficacité énergétique des appareils alimentés par batterie.
- Plage de températures industrielles : Fonctionnement prévu de -40 °C à 85 °C, idéal pour les environnements difficiles
- Interface parallèle : Intégration simple avec les microprocesseurs et les FPGA
- Format compact : le boîtier 48 VFBGA (8,15 mm x 6,15 mm) permet un gain de place précieux sur la carte.
- Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial
Applications idéales
Cette mémoire Flash NOR excelle dans les systèmes embarqués, les contrôleurs industriels, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux, les équipements de télécommunications et toute application nécessitant un stockage de code fiable, des mises à jour de firmware ou des capacités d'enregistrement de données.
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Spécifications techniques complètes
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Technologies Infineon |
| Gamme de produits | AS-J |
| Conditionnement | Plateau | |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Taille de la mémoire | 8 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 1M x 8, 512K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 70ns |
| Temps d'accès | 70 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 1,95 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 48-VFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 48-FBGA (8,15 x 6,15) |
| RoHS |  |
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