Infineon Technologies S29CD016J0MQAM113

Mémoire flash NOR haute performance Infineon S29CD016J0MQAM113

La mémoire flash NOR parallèle S29CD016J0MQAM113 d'Infineon Technologies est une solution haut de gamme de 16 Mbits, conçue pour les applications embarquées et industrielles exigeantes. Appartenant à la gamme éprouvée CD-J, ce composant offre une fiabilité et des performances exceptionnelles sur une large plage de températures.

Principales caractéristiques et avantages

• Performances haute vitesse : une fréquence d'horloge de 56 MHz et un temps d'accès de 54 ns garantissent une récupération rapide des données pour les applications critiques en termes de temps.
• Architecture mémoire flexible : organisation 512 Ko x 32 optimisée pour les systèmes à microprocesseur 32 bits
• Large plage de tension : le fonctionnement de 1,65 V à 2,75 V permet la compatibilité avec les conceptions modernes à faible consommation.
• Plage de températures industrielles : -40 °C à 125 °C (TA), qualification pour les environnements difficiles.
• Interface parallèle : accès direct à la mémoire pour un débit maximal dans les systèmes embarqués
• Boîtier compact pour montage en surface : l’ encombrement 80-PQFP (14 x 20 mm) offre un équilibre optimal entre densité d’E/S et gestion thermique.

Applications idéales

Cette mémoire flash NOR est parfaitement adaptée à l'électronique automobile, aux systèmes de contrôle industriels, aux infrastructures de télécommunications, aux dispositifs médicaux et à toute application nécessitant un stockage de code non volatil avec des capacités d'accès aléatoire rapides.

Spécifications techniques

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