Infineon Technologies S29GL064N11FFIV23

Présentation du produit

La S29GL064N11FFIV23 d'Infineon Technologies est une solution de mémoire flash NOR parallèle 64 Mbits hautes performances, conçue pour les applications embarquées, industrielles, automobiles et IoT exigeantes. Appartenant à la gamme éprouvée GL-N, ce circuit intégré de mémoire non volatile offre une rétention de données fiable avec un temps d'accès rapide de 110 ns et deux modes d'organisation flexibles (8 Mbits x 8 ou 4 Mbits x 16).

Principales caractéristiques et avantages

• Stockage haute densité : une capacité de 64 Mbits offre un espace suffisant pour le micrologiciel, le code de démarrage et le stockage des données.
• Performances rapides : un temps d'accès de 110 ns garantit des opérations de lecture rapides pour les applications critiques en termes de temps.
• Interface flexible : Interface parallèle avec prise en charge de la double organisation (8M x 8, 4M x 16) s’adaptant à diverses architectures système
• Large plage de tension : la tension d’alimentation de 1,65 V à 3,6 V permet la compatibilité avec les conceptions modernes à faible consommation.
• Plage de températures industrielles : un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit une fiabilité optimale même dans des environnements difficiles.
• Encombrement réduit : le boîtier CMS 64-LBGA (13 x 11 mm) optimise l’espace sur la carte.
• Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales

Applications typiques

Cette mémoire flash NOR est idéale pour les systèmes embarqués exigeant une exécution de code et un stockage de données fiables, notamment les calculateurs automobiles, les automates industriels, les équipements réseau, les dispositifs médicaux et les plateformes de calcul en périphérie de réseau (Edge Computing). Son interface parallèle et son temps d'accès rapide la rendent particulièrement adaptée aux applications d'exécution sur place (XIP).

Spécifications techniques

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• S29GL064N11FFIV23.pdf