Infineon Technologies S29GL064S80DHV010

Infineon S29GL064S80DHV010 - Circuit intégré de mémoire flash NOR 64 Mbit

La mémoire flash NOR 64 Mbit hautes performances Infineon S29GL064S80DHV010 de la série GL-S est conçue pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels et des infrastructures de télécommunications. Cette mémoire flash à interface parallèle offre un stockage non volatil fiable avec un temps d'accès rapide de 80 ns et des options d'organisation mémoire flexibles.

Principales caractéristiques et avantages

• Stockage haute densité : capacité de 64 Mbits avec deux modes d’organisation (8 M x 8 ou 4 M x 16) pour une plus grande flexibilité de conception
• Performances rapides : un temps d’accès de 80 ns et un temps de cycle d’écriture de 60 ns garantissent une récupération et une programmation rapides des données.
• Large plage de températures de fonctionnement : fonctionne de manière fiable de -40 °C à 105 °C, idéal pour les environnements industriels difficiles.
• Fonctionnement à faible consommation : la plage de tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V optimise l’efficacité énergétique.
• Boîtier compact pour montage en surface : l’encombrement de 64-LBGA (FBGA 9 x 9 mm) permet de gagner un espace précieux sur le circuit imprimé.
• Interface parallèle : Intégration simple avec les microcontrôleurs et les processeurs

Applications idéales

Ce circuit intégré de mémoire Flash NOR est parfaitement adapté aux systèmes embarqués nécessitant un stockage et une exécution de code fiables, notamment les calculateurs automobiles, les automates programmables industriels, les dispositifs médicaux, l'avionique aérospatiale, les équipements de télécommunications et le stockage de micrologiciels pour les systèmes critiques.

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Spécifications techniques

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