Infineon Technologies S29GL128P11FFIV23
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 16.89 | Dhs. 16.89 |
| 15+ | Dhs. 16.37 | Dhs. 245.55 |
| 25+ | Dhs. 16.01 | Dhs. 400.25 |
| 50+ | Dhs. 15.12 | Dhs. 756.00 |
| 100+ | Dhs. 13.34 | Dhs. 1,334.00 |
| N+ | Dhs. 2.67 | Price Inquiry |
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Mémoire flash NOR haute performance Infineon S29GL128P11FFIV23 de 128 Mbits
La mémoire Flash NOR S29GL128P11FFIV23 d'Infineon Technologies offre un stockage non volatil haute densité et fiable pour les applications critiques. Dotée de la technologie MirrorBit avancée et gravée en 90 nm, elle garantit des performances et une endurance exceptionnelles pour les systèmes industriels, automobiles, de télécommunications et aérospatiaux.
Principales caractéristiques et avantages
- Stockage haute densité : capacité de 128 Mbits organisée en 16 Mbits x 8 pour une gestion flexible des données
- Performances d'accès rapide : temps d'accès et cycle d'écriture de 110 ns pour un fonctionnement système réactif.
- Large plage de tension : fonctionnement de 1,65 V à 3,6 V pour une compatibilité avec une grande variété d’alimentations.
- Plage de températures industrielles : un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit une fiabilité optimale même dans des environnements difficiles.
- Interface parallèle : interface mémoire parallèle standard pour une intégration facile
- Boîtier compact pour montage en surface : 64-FBGA (13 x 11 mm) pour des circuits imprimés compacts.
- Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales
Applications idéales
Idéal pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage de code fiable et une conservation des données, notamment les calculateurs automobiles, les contrôleurs industriels, les équipements de télécommunications, les dispositifs médicaux et les systèmes aérospatiaux où l'intégrité des données à long terme est essentielle.
Spécifications techniques complètes
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Technologies Infineon |
| Gamme de produits | GL-P |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Taille de la mémoire | 128 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 16M x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 110 ns |
| Temps d'accès | 110 ns |
| Tension - Alimentation | 1,65 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 64-LBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 64-FBGA (13x11) |
| RoHS |

S29GL128P11FFIV23.pdf