Infineon Technologies S29GL128P11TFI023

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Infineon S29GL128P11TFI023 - Circuit intégré de mémoire flash NOR 128 Mbit

La mémoire Flash NOR S29GL128P11TFI023 d'Infineon Technologies est un dispositif haute performance de 128 Mbit doté d'une architecture d'interface parallèle et d'un temps d'accès de 110 ns. Elle est idéale pour les applications aérospatiales, automobiles, industrielles et de télécommunications exigeant un stockage non volatil fiable et une longue durée de vie.

Caractéristiques principales

  • Capacité de mémoire de 128 Mbit (16 Mo x 8) – Stockage suffisant pour le firmware embarqué et les données
  • Temps d'accès rapide de 110 ns - Optimisé pour les applications critiques en termes de performances
  • Interface parallèle - Accès direct à la mémoire pour des opérations de lecture/écriture à haute vitesse
  • Large plage de tension de fonctionnement (2,7 V ~ 3,6 V) - Compatible avec les systèmes 3,3 V standard
  • Plage de températures industrielles (-40 °C à 85 °C) - Fiabilité éprouvée en environnements difficiles
  • Boîtier CMS 56-TSOP - Conception compacte pour circuits imprimés compacts

Applications

Cette mémoire Flash NOR est conçue pour les systèmes critiques, notamment l'avionique, les calculateurs automobiles, les contrôleurs industriels, l'infrastructure de télécommunications, les dispositifs médicaux et les systèmes de défense, où l'intégrité des données et la disponibilité à long terme sont primordiales.

Avantages réservés aux distributeurs agréés

  • Composants Infineon 100 % authentiques avec traçabilité complète du fabricant
  • Dossier de documentation complet comprenant les fiches techniques et les certificats de conformité
  • Engagement de disponibilité sur le long terme pour soutenir votre feuille de route produit
  • Expédition internationale via des canaux autorisés avec une manutention appropriée
  • Assistance à la conception et conceptions de référence disponibles sur demande

Spécifications techniques

Toutes les spécifications sont sujettes à la fiche technique du fabricant. Contactez-nous pour connaître les tarifs dégressifs, les délais de livraison et obtenir des conseils techniques.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Technologies Infineon
Gamme de produits GL-P
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR
Taille de la mémoire 128 Mbit
Organisation de la mémoire 16M x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 110 ns
Temps d'accès 110 ns
Tension - Alimentation 2,7 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 56-TFSOP (0,724", largeur 18,40 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 56-TSOP
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY