Infineon Technologies S29GL128P11TFIV23

Mémoire flash NOR parallèle Infineon S29GL128P11TFIV23 de 128 Mbits

Le S29GL128P11TFIV23 d'Infineon Technologies est un circuit intégré de mémoire Flash NOR parallèle haute performance de 128 Mbits, conçu pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications. Ce composant offre une organisation mémoire de 16 Mbits x 8 bits avec un temps d'accès de 110 ns et fonctionne sur une large plage de tensions d'alimentation (de 1,65 V à 3,6 V), ce qui le rend idéal pour les systèmes embarqués anciens et modernes.

Principales caractéristiques et avantages

• Stockage haute densité : capacité de 128 Mbits dans un boîtier compact à montage en surface TSOP 56 broches
• Performances d'accès rapide : temps d'accès de 110 ns pour une exécution de code et une récupération de données rapides.
• Large plage de tension : fonctionnement de 1,65 V à 3,6 V, compatible avec diverses architectures système.
• Plage de températures industrielles : de -40 °C à +85 °C pour une fiabilité en environnement difficile
• Interface parallèle : accès direct à la mémoire sans contrôleurs supplémentaires
• Produit sous licence : documentation complète du fabricant et traçabilité garanties

Applications

Cette mémoire Flash NOR est parfaitement adaptée au stockage de code, aux mises à jour de firmware, au code de démarrage, aux données de configuration et à l'enregistrement de données dans les systèmes critiques où la fiabilité et la prise en charge d'un cycle de vie long sont essentielles.

Spécifications techniques complètes

Garantie du distributeur agréé : Tous les appareils sont livrés avec la documentation complète du fabricant, les certificats de conformité et une traçabilité intégrale. Nous prenons en charge les programmes de gestion du cycle de vie et offrons une assistance à l’intégration pour votre équipe d’ingénierie.

• S29GL128P11TFIV23.pdf