Infineon Technologies S29GL128P90TFIR23

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15+ Dhs. 17.06 Dhs. 255.90
25+ Dhs. 16.69 Dhs. 417.25
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Mémoire flash NOR parallèle Infineon S29GL128P90TFIR23 de 128 Mbits

Le S29GL128P90TFIR23 d'Infineon Technologies est un circuit intégré de mémoire Flash NOR haute performance de 128 Mbit offrant un temps d'accès de 90 ns et une architecture d'interface parallèle. Issu de la gamme GL-P éprouvée, ce circuit de mémoire non volatile garantit une conservation fiable des données pour les applications aérospatiales, automobiles, industrielles et de télécommunications nécessitant un support à long terme.

Principales caractéristiques et avantages

  • Capacité mémoire de 128 Mbit (16 Mo x 8) : espace de stockage suffisant pour le firmware, les données de configuration et l’exécution du code.
  • Temps d'accès rapide de 90 ns - Permet des opérations de lecture rapides pour les systèmes embarqués critiques en temps réel
  • Interface parallèle - Accès direct à la mémoire mappée pour une intégration transparente au processeur
  • Fonctionnement de 3 V à 3,6 V - Compatible avec les systèmes standard de 3,3 V
  • Plage de températures étendue (-40 °C à 85 °C) - Fiabilité éprouvée dans des environnements industriels difficiles
  • Boîtier CMS 56-TSOP - Format compact pour les circuits imprimés haute densité

Applications

Idéal pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage de code non volatil, un firmware de démarrage, un BIOS, des données de configuration et l'enregistrement de données dans l'avionique aérospatiale, les calculateurs automobiles, les contrôleurs industriels, l'infrastructure de télécommunications et les dispositifs médicaux.

Garantie du distributeur agréé

Nous fournissons uniquement des stocks de distributeurs agréés, accompagnés de la documentation complète du fabricant, des certificats de traçabilité et d'une disponibilité à long terme, afin de soutenir vos programmes critiques et d'atténuer les risques d'obsolescence.

Spécifications techniques complètes

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Technologies Infineon
Gamme de produits GL-P
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR
Taille de la mémoire 128 Mbit
Organisation de la mémoire 16M x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 90 ns
Temps d'accès 90 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 56-TFSOP (0,724", largeur 18,40 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 56-TSOP
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY