Infineon Technologies S29GL128S10DHI023

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Mémoire Flash NOR Infineon S29GL128S10DHI023 - 128 Mbit

Le S29GL128S10DHI023 d'Infineon Technologies est un circuit intégré de mémoire Flash NOR haute performance de 128 Mbits de la série GL-S, conçu pour les applications critiques exigeant un stockage non volatil fiable. Doté d'une interface parallèle et d'une organisation mémoire 8M x 16, ce composant offre un temps d'accès de 100 ns et fonctionne dans une plage de températures industrielles de -40 °C à 85 °C.

Caractéristiques principales :

  • Capacité de mémoire flash NOR de 128 Mbit (16 Mo)
  • Interface parallèle pour l'accès aux données à haut débit
  • Temps d'accès : 100 ns, temps de cycle d'écriture : 60 ns
  • Plage de tension d'alimentation de 2,7 V à 3,6 V
  • Plage de température industrielle : -40 °C à 85 °C
  • Boîtier CMS 64-FBGA (9x9 mm)
  • Conforme à la directive RoHS pour la sécurité environnementale

Applications : Idéal pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels, des dispositifs médicaux, des équipements de télécommunications et autres applications nécessitant un support à long terme et une fiabilité éprouvée.

Spécifications techniques complètes

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Technologies Infineon
Gamme de produits GL-S
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR
Taille de la mémoire 128 Mbit
Organisation de la mémoire 8M x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 60 ns
Temps d'accès 100 ns
Tension - Alimentation 2,7 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 64-LBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 64-FBGA (9x9)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY