Infineon Technologies S29GL128S10DHIV13

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15+ Dhs. 13.89 Dhs. 208.35
25+ Dhs. 13.59 Dhs. 339.75
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Mémoire flash NOR Infineon S29GL128S10DHIV13 - 128 Mbit

Le S29GL128S10DHIV13 d'Infineon Technologies est un circuit intégré de mémoire Flash NOR haute performance de 128 Mbit conçu pour les applications industrielles, automobiles et embarquées exigeantes nécessitant un stockage non volatil fiable avec un accès parallèle rapide.

Caractéristiques principales :

  • Capacité de mémoire de 128 Mbit (8 Mo x 16) – Idéale pour le stockage de code et l'enregistrement de données
  • Interface parallèle - Accès mémoire direct et rapide pour les applications haute vitesse
  • Temps d'accès de 100 ns - Opérations de lecture rapides pour les systèmes critiques en temps réel
  • Large plage de tension (1,65 V ~ 3,6 V) - Compatible avec les conceptions modernes à faible consommation
  • Plage de températures industrielles (-40 °C à 85 °C) - Fonctionnement fiable en environnements difficiles
  • Boîtier 64-LBGA / 64-FBGA (9x9) - Conception compacte pour montage en surface
  • Conforme à la directive RoHS - Répond aux normes environnementales des marchés mondiaux

Applications :

Cette mémoire Flash NOR est idéale pour les calculateurs automobiles, les contrôleurs industriels, les dispositifs médicaux, les infrastructures de télécommunications, les systèmes aérospatiaux et toute application nécessitant un stockage de code à long terme avec une fiabilité élevée et un accès aléatoire rapide.

Pourquoi choisir la série Infineon GL-S ?

La gamme de mémoires Flash GL-S d'Infineon offre une fiabilité éprouvée, un support étendu tout au long du cycle de vie et une traçabilité complète, des atouts essentiels pour la conception de produits à longue durée de vie. En tant que distributeur agréé, nous fournissons des composants authentiques accompagnés de la documentation du fabricant et des certificats de conformité.

Spécifications techniques complètes :

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Technologies Infineon
Gamme de produits GL-S
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR
Taille de la mémoire 128 Mbit
Organisation de la mémoire 8 m x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 60 ns
Temps d'accès 100 ns
Tension - Alimentation 1,65 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 64-LBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 64-FBGA (9x9)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY