Infineon Technologies S29GL128S10DHIV23

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Mémoire flash NOR parallèle Infineon S29GL128S10DHIV23 de 128 Mbits

Le S29GL128S10DHIV23 d'Infineon Technologies est un circuit intégré de mémoire flash NOR haute performance de 128 Mbit de la série GL-S, conçu pour les applications nécessitant un stockage de données non volatiles fiable avec des temps d'accès rapides et de larges plages de températures de fonctionnement.

Caractéristiques principales

  • Capacité mémoire de 128 Mbit (16 Mo) - Organisation 8M x 16 pour une gestion flexible des données
  • Temps d'accès ultra-rapide de 100 ns – Garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques en temps réel
  • Interface parallèle - Simplifie l'intégration avec les systèmes embarqués anciens et modernes
  • Plage de tension étendue - Fonctionne de 1,65 V à 3,6 V pour des conceptions économes en énergie
  • Plage de températures industrielles - Conçu pour fonctionner de -40 °C à 85 °C dans des environnements difficiles
  • Boîtier CMS 64-FBGA - Format compact 9x9 mm pour les conceptions à espace restreint
  • Conforme à la directive RoHS - Répond aux normes environnementales et réglementaires

Applications

Idéal pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels, des dispositifs médicaux, des équipements de télécommunications et toute application nécessitant une mémoire non volatile à longue durée de vie et haute fiabilité avec une traçabilité complète.

Pourquoi choisir ce composant ?

En tant que distributeur agréé, nous fournissons des composants Infineon authentiques et 100 % traçables, accompagnés de la documentation complète du fabricant, d'un support technique tout au long du cycle de vie et d'une certification de conformité. Chaque unité est livrée dans son emballage d'origine et répond aux normes de qualité les plus strictes pour les applications critiques.

Spécifications techniques complètes

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Technologies Infineon
Gamme de produits GL-S
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR
Taille de la mémoire 128 Mbit
Organisation de la mémoire 8 m x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 60 ns
Temps d'accès 100 ns
Tension - Alimentation 1,65 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 64-LBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 64-FBGA (9x9)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY