Infineon Technologies S29GL128S10DHSS10

Mémoire flash NOR haute fiabilité Infineon S29GL128S10DHSS10 - 128 Mbit

La mémoire Flash NOR parallèle S29GL128S10DHSS10 d'Infineon Technologies offre des performances critiques pour les applications aérospatiales, automobiles, industrielles, médicales et de télécommunications. D'une capacité de 128 Mbits, elle se distingue par une fiabilité exceptionnelle, une plage de températures de fonctionnement étendue et une conformité totale à la directive RoHS, garantissant ainsi une longue durée de vie.

Principales caractéristiques et avantages

• Stockage haute densité : l’organisation de la mémoire de 128 Mbits (8 M x 16) offre une capacité suffisante pour le stockage du micrologiciel, des données de configuration et du code.
• Performances d'accès rapide : un temps d'accès de 100 ns et un temps de cycle d'écriture de 60 ns garantissent un fonctionnement réactif du système.
• Plage de températures étendue : fonctionnement de -40 °C à 85 °C (TA) pour les environnements industriels et automobiles difficiles.
• Interface parallèle : L’interface parallèle standard simplifie l’intégration avec les conceptions et microcontrôleurs existants.
• Large plage de tension : la tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V prend en charge diverses architectures d’alimentation.
• Boîtier CMS : Son format compact 64-LBGA (64-FBGA 9x9 mm) optimise l'espace sur la carte.
• Conforme à la directive RoHS : répond aux réglementations environnementales pour l'accès au marché mondial

Applications idéales

Conçu pour les systèmes critiques nécessitant une disponibilité à long terme et une fiabilité éprouvée, notamment les systèmes de vol aérospatiaux, les calculateurs automobiles, les contrôleurs industriels, les dispositifs médicaux et l'infrastructure des télécommunications.

Spécifications techniques complètes

• S29GL128S10DHSS10.pdf