Infineon Technologies S29GL128S10DHSS20

Mémoire flash NOR haute fiabilité Infineon S29GL128S10DHSS20 de 128 Mbits

La S29GL128S10DHSS20 d'Infineon Technologies est une solution de mémoire flash NOR parallèle haut de gamme de 128 Mbit conçue pour les applications critiques dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, du contrôle industriel, des dispositifs médicaux et des infrastructures de télécommunications.

Principales caractéristiques et avantages

• Stockage haute densité : l’organisation de la mémoire de 128 Mbits (8 M x 16) offre une capacité suffisante pour le stockage du micrologiciel, du code de démarrage et des données.
• Performances d'accès rapide : un temps d'accès de 100 ns et un cycle d'écriture de 60 ns garantissent un fonctionnement système réactif.
• Large plage de tension : la tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V prend en charge diverses architectures d’alimentation.
• Interface parallèle : accès direct à la mémoire pour un transfert de données à haut débit et une intégration simplifiée
• Encombrement réduit : le boîtier CMS 64-FBGA (9 x 9 mm) optimise l’espace sur la carte.
• Plage de températures industrielles : Conçu pour un fonctionnement de 0 °C à 85 °C dans des environnements exigeants
• Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial

Applications idéales

Cette mémoire flash de la série GL-S est spécialement conçue pour les systèmes exigeant une longue durée de vie, une traçabilité complète et une fiabilité éprouvée. Elle est idéale pour les systèmes embarqués, les contrôleurs industriels, les calculateurs automobiles, les équipements médicaux et les infrastructures de télécommunications où l'intégrité et la disponibilité des données sont primordiales.

Spécifications techniques complètes

• S29GL128S10DHSS20.pdf