Flip Electronics S29GL128S10DHV013
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 13.07 | Dhs. 13.07 |
| 15+ | Dhs. 12.65 | Dhs. 189.75 |
| 25+ | Dhs. 12.38 | Dhs. 309.50 |
| 50+ | Dhs. 11.69 | Dhs. 584.50 |
| 100+ | Dhs. 10.31 | Dhs. 1,031.00 |
| N+ | Dhs. 2.06 | Price Inquiry |
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Mémoire flash NOR haute performance Infineon S29GL128S10DHV013
La mémoire Flash NOR S29GL128S10DHV013 d'Infineon Technologies est une solution fiable et haute densité, conçue pour les systèmes embarqués exigeant un accès rapide en lecture et une conservation des données à long terme. Appartenant à la gamme GL-S éprouvée, cette mémoire non volatile de 128 Mbit offre des performances exceptionnelles sur une large plage de températures industrielles.
Principales caractéristiques et avantages
- Stockage haute densité : capacité de 128 Mbits avec une organisation mémoire de 8 M x 16
- Temps d'accès rapide : 100 ns pour une récupération rapide des données
- Interface parallèle : Intégration simple avec les systèmes anciens et modernes
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 105 °C (TA)
- Fonctionnement à faible consommation : plage de tension d'alimentation de 2,7 V à 3,6 V
- Boîtier CMS (composants montés en surface) : boîtier compact 64-LBGA (FBGA 9 x 9 mm) pour les conceptions à espace restreint.
- Conforme à la directive RoHS : fabrication respectueuse de l’environnement et sans plomb
Applications idéales
Idéal pour l'électronique automobile, les systèmes de contrôle industriels, les équipements de télécommunications, les dispositifs médicaux et toute application embarquée nécessitant un stockage de code fiable, des mises à jour de firmware et un enregistrement de données avec un support à long terme.
Spécifications techniques complètes
S'appuyant sur la réputation d'Infineon en matière de qualité et de support à long terme, le S29GL128S10DHV013 garantit que vos conceptions restent prises en charge tout au long de leur durée de vie.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Technologies Infineon |
| Gamme de produits | GL-S |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Taille de la mémoire | 128 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 8 m x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 60 ns |
| Temps d'accès | 100 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 64-LBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 64-FBGA (9x9) |
| RoHS |  |
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