Infineon Technologies S29GL128S10DHV023
Prix habituel
Dhs. 15.43
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Prix promotionnel
Dhs. 15.43
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 15.43 | Dhs. 15.43 |
| 15+ | Dhs. 14.96 | Dhs. 224.40 |
| 25+ | Dhs. 14.63 | Dhs. 365.75 |
| 50+ | Dhs. 13.82 | Dhs. 691.00 |
| 100+ | Dhs. 12.20 | Dhs. 1,220.00 |
| N+ | Dhs. 2.44 | Price Inquiry |
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Mémoire Flash NOR Infineon S29GL128S10DHV023 - 128 Mbit
Le S29GL128S10DHV023 d'Infineon Technologies est un circuit intégré de mémoire flash NOR parallèle haute performance de 128 Mbit conçu pour les applications industrielles, automobiles, de télécommunications et médicales exigeantes nécessitant un stockage non volatil fiable avec des temps d'accès rapides et un fonctionnement à température étendue.
Principales caractéristiques et avantages
- Stockage haute densité : l’organisation de la mémoire de 128 Mbits (8 M x 16) offre une capacité suffisante pour le micrologiciel, le stockage de code et l’enregistrement de données.
- Performances rapides : un temps d'accès de 100 ns et un cycle d'écriture de 60 ns garantissent des opérations de lecture/écriture rapides pour les applications critiques.
- Large plage de fonctionnement : plage de température de -40 °C à 105 °C et tension d'alimentation de 2,7 V à 3,6 V pour une utilisation dans des environnements industriels difficiles.
- Interface parallèle : l’accès direct à la mémoire sans protocoles complexes simplifie l’intégration dans les systèmes embarqués.
- Montage en surface compact : le boîtier 64-LBGA (FBGA 9 x 9 mm) permet de gagner un espace précieux sur le circuit imprimé.
- Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial
Applications idéales
Idéal pour l'avionique aérospatiale, les calculateurs automobiles, les contrôleurs industriels, les dispositifs médicaux, l'infrastructure des télécommunications et tout système embarqué nécessitant un stockage de code fiable avec un support et une traçabilité tout au long du cycle de vie.
Spécifications techniques complètes
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Technologies Infineon |
| Gamme de produits | GL-S |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Non volatil |
| Format de mémoire | ÉCLAIR |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Taille de la mémoire | 128 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 8 m x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 60 ns |
| Temps d'accès | 100 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 64-LBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 64-FBGA (9x9) |
| RoHS |  |
S29GL128S10DHV023.pdf
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