Infineon Technologies S29GL128S10FAIV13

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Mémoire flash NOR parallèle Infineon S29GL128S10FAIV13 de 128 Mbits

Le S29GL128S10FAIV13 d'Infineon Technologies est un circuit intégré de mémoire flash NOR haute performance de 128 Mbit conçu pour les applications industrielles, automobiles et embarquées exigeantes nécessitant un stockage non volatil fiable avec des temps d'accès rapides et une large plage de températures de fonctionnement.

Principales caractéristiques et avantages

  • Capacité de mémoire de 128 Mbits - L'organisation 8M x 16 offre un espace de stockage suffisant pour le firmware, l'exécution de code et la conservation des données.
  • Temps d'accès ultra-rapide de 100 ns – Permet une exécution de code et une récupération de données rapides pour les applications critiques en termes de temps.
  • Large plage de tension d'alimentation : la tension d'alimentation de 1,65 V à 3,6 V prend en charge diverses architectures système et les conceptions à faible consommation.
  • Plage de températures étendue - Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C pour les environnements industriels et automobiles
  • Interface parallèle - Accès direct à la mémoire pour des opérations de lecture à haute vitesse et une intégration simplifiée
  • Boîtier FBGA 64 broches compact - Format compact de 13 x 11 mm, idéal pour les conceptions à espace restreint sur carte

Applications

Idéal pour l'aérospatiale, les calculateurs automobiles, les contrôleurs industriels, les dispositifs médicaux, les infrastructures de télécommunications et tout système embarqué nécessitant une mémoire non volatile à longue durée de vie et haute fiabilité, avec une traçabilité et une conformité complètes.

Spécifications techniques complètes

Conformité : conforme aux normes RoHS/REACH. Traçabilité complète et documentation du fabricant disponibles. Distributeur agréé avec un engagement à long terme.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Technologies Infineon
Gamme de produits GL-S
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire ÉCLAIR
Technologie FLASH - NOR
Taille de la mémoire 128 Mbit
Organisation de la mémoire 8 m x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 60 ns
Temps d'accès 100 ns
Tension - Alimentation 1,65 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 64-LBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 64-FBGA (13x11)